Academic Journal
Гетероэпитаксиальные структуры AlN/Al2O3 и GaN/Al2O3 для акустоэлектронных СВЧ устройств
| Title: | Гетероэпитаксиальные структуры AlN/Al2O3 и GaN/Al2O3 для акустоэлектронных СВЧ устройств |
|---|---|
| Source: | Современные наукоемкие технологии. |
| Publisher Information: | Общество с ограниченной ответственностью "Издательский Дом "Академия Естествознания", 2010. |
| Publication Year: | 2010 |
| Subject Terms: | ЭПИТАКСИЯ,ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СТРУКТУРЫ,ПЬЕЗОКРИСТАЛЛЫ,МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ,ПОВЕРХНОСТНЫЕ АКУСТИЧЕСКИЕ ВОЛНЫ,КРИСТАЛЛОГРАФИЯ,АКУСТОЭЛЕКТРОННЫЕ СВЧ РЕЗОНАТОРЫ,ФИЛЬТРЫ |
| Description: | В работе проведены экспериментальные измерения кристаллографических свойств гетероэпитаксиальных тонкопленочных структур нитрида алюминия AlN, нитрида галлия GaN, выращенных на подложках из сапфира Al2O3 методом молекулярно-лучевой эпитаксии для создания на их основе СВЧ акустоэлектронных устройств. |
| Document Type: | Article |
| File Description: | text/html |
| Language: | Russian |
| ISSN: | 1812-7320 |
| Access URL: | http://cyberleninka.ru/article/n/geteroepitaksialnye-struktury-aln-al2o3-i-gan-al2o3-dlya-akustoelektronnyh-svch-ustroystv http://cyberleninka.ru/article_covers/14632866.png |
| Accession Number: | edsair.od......2806..6c19e3f280bf6e259e46fc99c8ee4c3e |
| Database: | OpenAIRE |
| ISSN: | 18127320 |
|---|