Academic Journal
Гетероэпитаксиальные структуры AlN/Al2O3 и GaN/Al2O3 для акустоэлектронных СВЧ устройств
| Τίτλος: | Гетероэпитаксиальные структуры AlN/Al2O3 и GaN/Al2O3 для акустоэлектронных СВЧ устройств |
|---|---|
| Πηγή: | Современные наукоемкие технологии. |
| Στοιχεία εκδότη: | Общество с ограниченной ответственностью "Издательский Дом "Академия Естествознания", 2010. |
| Έτος έκδοσης: | 2010 |
| Θεματικοί όροι: | ЭПИТАКСИЯ,ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СТРУКТУРЫ,ПЬЕЗОКРИСТАЛЛЫ,МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ,ПОВЕРХНОСТНЫЕ АКУСТИЧЕСКИЕ ВОЛНЫ,КРИСТАЛЛОГРАФИЯ,АКУСТОЭЛЕКТРОННЫЕ СВЧ РЕЗОНАТОРЫ,ФИЛЬТРЫ |
| Περιγραφή: | В работе проведены экспериментальные измерения кристаллографических свойств гетероэпитаксиальных тонкопленочных структур нитрида алюминия AlN, нитрида галлия GaN, выращенных на подложках из сапфира Al2O3 методом молекулярно-лучевой эпитаксии для создания на их основе СВЧ акустоэлектронных устройств. |
| Τύπος εγγράφου: | Article |
| Περιγραφή αρχείου: | text/html |
| Γλώσσα: | Russian |
| ISSN: | 1812-7320 |
| Σύνδεσμος πρόσβασης: | http://cyberleninka.ru/article/n/geteroepitaksialnye-struktury-aln-al2o3-i-gan-al2o3-dlya-akustoelektronnyh-svch-ustroystv http://cyberleninka.ru/article_covers/14632866.png |
| Αριθμός Καταχώρησης: | edsair.od......2806..6c19e3f280bf6e259e46fc99c8ee4c3e |
| Βάση Δεδομένων: | OpenAIRE |
| ISSN: | 18127320 |
|---|