Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
| Τίτλος: |
Влияние ионов марганца на процессы переключения аланинсодержащих кристаллов триглицинсульфата |
| Στοιχεία εκδότη: |
Тверской государственный университет, 2015. |
| Έτος έκδοσης: |
2015 |
| Θεματικοί όροι: |
537.226.4 Сегнетоэлектричество |
| Περιγραφή: |
Исследовано влияние ионов марганца на процессы переключения и диэлектрические свойства аланинсодержащих кристаллов триглицинсульфата (АТГС:Mn2+). Установлено, что ионы марганца входят в кристаллическую решетку АТГС неравномерно, петли диэлектрического гистерезиса кристаллов искажены и униполярны, существенного влияния примеси на точку фазового перехода не обнаружено |
| Τύπος εγγράφου: |
Article |
| Περιγραφή αρχείου: |
application/pdf |
| Γλώσσα: |
Russian |
| Σύνδεσμος πρόσβασης: |
https://openrepository.ru/article?id=436336 |
| Αριθμός Καταχώρησης: |
edsair.httpsopenrep..0e3180cdc0f5cec3ee969b70007043f2 |
| Βάση Δεδομένων: |
OpenAIRE |