Bibliographic Details
| Title: |
Влияние ионов марганца на процессы переключения аланинсодержащих кристаллов триглицинсульфата |
| Publisher Information: |
Тверской государственный университет, 2015. |
| Publication Year: |
2015 |
| Subject Terms: |
537.226.4 Сегнетоэлектричество |
| Description: |
Исследовано влияние ионов марганца на процессы переключения и диэлектрические свойства аланинсодержащих кристаллов триглицинсульфата (АТГС:Mn2+). Установлено, что ионы марганца входят в кристаллическую решетку АТГС неравномерно, петли диэлектрического гистерезиса кристаллов искажены и униполярны, существенного влияния примеси на точку фазового перехода не обнаружено |
| Document Type: |
Article |
| File Description: |
application/pdf |
| Language: |
Russian |
| Access URL: |
https://openrepository.ru/article?id=436336 |
| Accession Number: |
edsair.httpsopenrep..0e3180cdc0f5cec3ee969b70007043f2 |
| Database: |
OpenAIRE |