Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
| Τίτλος: |
Обобщённая модель эффекта низкой интенсивности в биполярных приборах |
| Πηγή: |
Труды НИИСИ РАН. 8:94-98 |
| Στοιχεία εκδότη: |
Federal Scientific Center Scientific Research Institute for Systems Research of the Russian Academy of Sciences, 2018. |
| Έτος έκδοσης: |
2018 |
| Θεματικοί όροι: |
interface traps, enhanced low dose rate sensitivity, поверхностные состояния, эффект низкой интенсивности, дозовые эффекты, радиационная стойкость, total ionizing dose effects, биполярные транзисторы, bipolar transistors, radiation hardness |
| Περιγραφή: |
В данной работе описана обобщенная физическая модель, которая позволяет описать деградацию биполярных приборов, чувствительных (ELDRS-susceptible) и нечувствительных (ELDRS-free) к эффекту низкой интенсивности в широком диапазоне накопленных доз, интенсивностей и температур In this paper, a joint physical model describing the radiation degradation of bipolar devices, sensitive (ELDRS-susceptible) and insensitive (ELDRS-free) to a low dose rate effect in a wide range of total doses, intensities and temperatures |
| Τύπος εγγράφου: |
Article |
| Γλώσσα: |
Russian |
| ISSN: |
2225-7349 |
| DOI: |
10.25682/niisi.2018.3.0016 |
| Αριθμός Καταχώρησης: |
edsair.doi...........0762493b5d07210fc0f12ba8b3313bea |
| Βάση Δεδομένων: |
OpenAIRE |