Bibliographic Details
| Title: |
Обобщённая модель эффекта низкой интенсивности в биполярных приборах |
| Source: |
Труды НИИСИ РАН. 8:94-98 |
| Publisher Information: |
Federal Scientific Center Scientific Research Institute for Systems Research of the Russian Academy of Sciences, 2018. |
| Publication Year: |
2018 |
| Subject Terms: |
interface traps, enhanced low dose rate sensitivity, поверхностные состояния, эффект низкой интенсивности, дозовые эффекты, радиационная стойкость, total ionizing dose effects, биполярные транзисторы, bipolar transistors, radiation hardness |
| Description: |
В данной работе описана обобщенная физическая модель, которая позволяет описать деградацию биполярных приборов, чувствительных (ELDRS-susceptible) и нечувствительных (ELDRS-free) к эффекту низкой интенсивности в широком диапазоне накопленных доз, интенсивностей и температур In this paper, a joint physical model describing the radiation degradation of bipolar devices, sensitive (ELDRS-susceptible) and insensitive (ELDRS-free) to a low dose rate effect in a wide range of total doses, intensities and temperatures |
| Document Type: |
Article |
| Language: |
Russian |
| ISSN: |
2225-7349 |
| DOI: |
10.25682/niisi.2018.3.0016 |
| Accession Number: |
edsair.doi...........0762493b5d07210fc0f12ba8b3313bea |
| Database: |
OpenAIRE |