Academic Journal

Performance Degradation Mechanisms in p-Type Nanosheet FETs: Role of Source/Drain Doping, Stress, and Inner Spacer Interface Traps

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Τίτλος: Performance Degradation Mechanisms in p-Type Nanosheet FETs: Role of Source/Drain Doping, Stress, and Inner Spacer Interface Traps
Συγγραφείς: Hung, L., Bhuwalka, K.K., Stanojevic, Z., Schanovsky, F., Kosina, H., Karner, M.
Πηγή: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 73(9):5381-5386 Sep, 2026
Βάση Δεδομένων: IEEE Xplore Digital Library
Περιγραφή
ISSN:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2026.3711954