Academic Journal

Електропровідність і термостимульована провідність шаруватих кристалів GeS одержаних різними методами

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Τίτλος: Електропровідність і термостимульована провідність шаруватих кристалів GeS одержаних різними методами
Πηγή: Scientific Herald of Uzhhorod University.Series Physics; Том 5 (1999); 138-144
Научный вестник Ужгородского университета. Серия Физика; Том 5 (1999); 138-144
Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика; Том 5 (1999); 138-144
Στοιχεία εκδότη: Ужгородський національний університет = Uzhhorod National University, 1999.
Έτος έκδοσης: 1999
Θεματικοί όροι: Електропровідність, термостимульована провідність, шаруваті кристали, Conductivity, Thermostimulated conductivity, Layered crystals, электропроводность, термостимулированная проводимость, слоистые кристаллы
Περιγραφή: Моносульфид германия (GeS) относится к слоистых соединений типа AIVBVI которые кристаллизуются в ромбической решетке, симметрия которой описывается пространственной группой. Выращивание совершенных слоистых кристаллов типа AIVBVI - одна из актуальных задач современного полупроводникового материаловедения.
Germanium monosulfide (GeS) refers to layered compounds of type AIVBVI which crystallize in a rhombic lattice whose symmetry is described by a spatial group. The cultivation of perfect layered crystals of type AIVBVI is one of the topical problems of modern semiconductor materials science.
Моносульфід германію (GeS) відноситься до шаруватих сполук типу AIVBVI які кристалізуються в ромбічній решітці, симетрія якої описується просторовою групою. Вирощування досконалих шаруватих кристалів типу AIVBVI - одна з актуальних задач сучасного напівпровідникового матеріалознавства.
Τύπος εγγράφου: Article
Περιγραφή αρχείου: application/pdf
Γλώσσα: Ukrainian
ISSN: 2415-8038
Σύνδεσμος πρόσβασης: http://fizyka-visnyk.uzhnu.edu.ua/article/view/150831
Rights: CC BY NC ND
Αριθμός Καταχώρησης: edsair.scientific.p..a85e6f21057f00ecc6518f9dce18a2e3
Βάση Δεδομένων: OpenAIRE