Academic Journal
ВПЛИВ ТЕМПЕРАТУРИ НА ПАРАМЕТРИ МАГНІТОЧУТЛИВИХ ТРАНЗИСТОРНИХ СТРУКТУР
| Τίτλος: | ВПЛИВ ТЕМПЕРАТУРИ НА ПАРАМЕТРИ МАГНІТОЧУТЛИВИХ ТРАНЗИСТОРНИХ СТРУКТУР |
|---|---|
| Πηγή: | Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 17, № 1 (2020); 29-38 Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 17, № 1 (2020); 29-38 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 17, № 1 (2020); 29-38 |
| Στοιχεία εκδότη: | Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2020. |
| Έτος έκδοσης: | 2020 |
| Θεματικοί όροι: | магниточувствительные транзисторные структуры, полупроводник, температура, магнитное поле, сенсоры, magnetosensitive transistor structures, semiconductor, temperature, magnetic field, sensors, магніточутливі транзисторні структури, напівпровідник, магнітне поле, сенсори |
| Περιγραφή: | Semiconductor magnetosensitive transistor structures (MTS), as investigations have shown can be the basis of effective magnetic field sensors, as well as sensors of other physical quantities. However, the practical such sensors application requires high metrological characteristics to investigate the effect of destabilizing factors on the MTS itself. Among the basic these factors is temperature. Its influence is so noticeable that the dependence of the MTS parameters on it can be used for sensors of other physical quantities. A number of papers have been devoted to the study of the temperature influence on the MTS characteristics. However, they are non-systemic in nature and differ in the results, and do not always have sufficient comparisons with the theory and explanation of the nature and mechanisms of temperature influence. This paper sets out the task of a consistent and systematic these problems study in order to optain stronger knowledge of the temperature effect on the MTS characteristics.The experimental and theoretical temperature dependences of the drift MTS (DMTS) current transmission coefficients in the magnetic field, the coordinate of the maximum mangitosensitivity site dependence on temperature, and the dependence of the DMTS mangitosensitivity on temperature for different materials are given.The mechanisms of the temperature influence on the MTS, their characteristics dependences, in particular, the conversion parameters from the point of view of possible use in sensors, are analyzed. Напівпровідникові магніточутливі транзисторні структури (МТС), як показали дослідження, можуть бути основою ефективних сенсорів магнітного поля, а також сенсорами інших фізичних величин. Однак практичне застосування таких сенсорів вимагає для забезпечення високих метрологічних характеристик дослідження впливу дестабілізуючих чинників на самі МТС. В числі основних таких чинників є температура. Вплив її настільки помітний, що залежність параметрів МТС від неї можуть бути використаними для сенсорів інших фізичних величин.Дослідженню впливу температури на характеристики МТС присвячено ряд робіт. Однак вони носять несистемний характер і різняться певними відмінностями результатів і не завжди мають достатнє порівняння з теорією і пояснення природи та механізмів температурного впливу. В даній роботі ставиться задача послідовного і системного вивчення означених питань з метою більш повного знання про вплив температури на характеристики МТС.Наводяться температурні експериментальні і теоретичні залежності коефіцієнтів передачі струму в дрейфових МТС (ДМТС) в магнітному полі, залежність координати ділянки максимальної магніточутливості від температури та залежність магніточутливості ДМТС від температури для фізичних матеріалів.Аналізуються механізми впливу температури на МТС, залежність їх характеристик, зокрема перетворювальних параметрів з позицій можливого використання в сенсорах. Полупроводниковые магниточувствительные транзисторные структуры (МТС), как показали исследования, могут быть основой эффективных сенсоров магнитного поля, а также сенсоров других физических величин. Однако практическое применение таких сенсоров требует для обеспечения высоких метрологических характеристик исследования влияния дестабилизирующих факторов на сами МТС. В числе таких основных факторов является температура. Исследованию влияния на основные характеристики МТС температуры внешней среды и посвящена данная работа.Анализируются механизмы влияния температуры на МТС, зависимость их характеристик, в частности преобразовательных параметров с позиций возможного использования в сенсорах. |
| Τύπος εγγράφου: | Article |
| Περιγραφή αρχείου: | application/pdf |
| Γλώσσα: | Ukrainian |
| ISSN: | 1815-7459 2415-3508 |
| Σύνδεσμος πρόσβασης: | http://semst.onu.edu.ua/article/view/198924 |
| Rights: | CC BY NC |
| Αριθμός Καταχώρησης: | edsair.scientific.p..7002a423057ec1a6c1b43a7f50e193eb |
| Βάση Δεδομένων: | OpenAIRE |
| ISSN: | 18157459 24153508 |
|---|