Academic Journal
TENSOSENSITIVITY IN ∆1 – MODEL OF THE CONDUCTION BAND GERMANIUM CRYSTALS
| Τίτλος: | TENSOSENSITIVITY IN ∆1 – MODEL OF THE CONDUCTION BAND GERMANIUM CRYSTALS |
|---|---|
| Πηγή: | Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 10, № 3 (2013); 76-81 Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 10, № 3 (2013); 76-81 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 10, № 3 (2013); 76-81 |
| Στοιχεία εκδότη: | Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2013. |
| Έτος έκδοσης: | 2013 |
| Θεματικοί όροι: | анизотропное рассеяния, коэффициент тензочувствительности, эффективная масса, константы деформационного потенциала, анізотропне розсіяння, коефіцієнт тензочутливості, ефективна маса, константи деформаційного потенціалу, anisotropic scattering, coefficient of tensosensitivity, effective mass, deformation potential constants |
| Περιγραφή: | The calculations of the electrons mobility and tensosensitivity coefficient for various structure of ∆1 – conduction band of the germanium crystal were carried out within anisotropic scattering theory. The conduction band was generated under the intense uniaxial or hydrostatic pressure. It was shown that one can obtain the maximum piezoresistance effect and the corresponding value of tensosensitivity coefficient for the various impurity density under the inversion of bare minimum ( L1 − ∆1 ) – type. The inversion was caused by uniaxial pressure of n-Ge crystals along the crystallographic direction [100]. На основе теории анизотропного рассеяния проведены расчеты подвижности электронов и коэффициента тензочувствительности для различной структуры ∆1 – зоны проводимости кристаллов германия, созданной сильным одноосевым или гидростатическим давлением. Показано, что для разной концентрации примеси максимальный эффект пьезосопротивления и соответствующее значение коэффициента тензочувствительности можно получить при инверсии типа ( L1 − ∆1 ) абсолютного минимума, которая обусловлена одноосевым давлением кристаллов n-Ge вдоль кристаллографического направления [100]. На основі теорії анізотропного розсіяння проведено розрахунки рухливості електронів та коефіцієнта тензочутливості для різної структури ∆1 – зони провідності кристалів германію, утвореної сильним одновісним або гідростатичним тиском. Показано, що для різної концентрації домішки максимальний ефект пʼєзоопору та відповідне значення коефіцієнта тензочутливості можна отримати при інверсії типу ( L1 − ∆1 ) абсолютного мінімуму, яка обумовлена одновісним тиском кристалів n-Ge вздовж кристалографічного напрямку [100] |
| Τύπος εγγράφου: | Article |
| Περιγραφή αρχείου: | application/pdf |
| Γλώσσα: | Ukrainian |
| ISSN: | 1815-7459 2415-3508 |
| Σύνδεσμος πρόσβασης: | http://semst.onu.edu.ua/article/view/110406 |
| Rights: | CC BY NC |
| Αριθμός Καταχώρησης: | edsair.scientific.p..2c134ee4375bb9d4a14a7f8d564f28e4 |
| Βάση Δεδομένων: | OpenAIRE |
| ISSN: | 18157459 24153508 |
|---|