Bibliographic Details
| Title: |
Образование дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs |
| Source: |
Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 12. С. 160-165 |
| Publisher Information: |
2021. |
| Publication Year: |
2021 |
| Subject Terms: |
арсенид галлия, механические напряжения, образование дислокаций, диффузия |
| Description: |
Проведено исследование образования дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs. Изучено образование дислокаций в диффузионных слоях GaAs, легированных разными примесями (элементами II, IV, VI групп и переходными элементами), в зависимости от условий проведения диффузии. Показано, что в процессе диффузии примесей в диффузионных слоях GaAs происходит образование дислокаций, плотность которых в слоях, легированных до предельных поверхностных концентраций, может достигать 108 см–2. По мере уменьшения поверхностной концентрации диффундирующей примеси происходит уменьшение плотности дислокаций. Определены условия проведения диффузии, при которых дополнительные дислокации не образуются. На основании сопоставления полученных экспериментальных данных и результатов проведенного расчета сделан вывод о том, что образование дислокаций при диффузии примесей в GaAs обусловлено градиентом концентрации примеси. |
| Document Type: |
Article |
| File Description: |
application/pdf |
| Language: |
Russian |
| DOI: |
10.17223/00213411/64/12/160 |
| Access URL: |
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000725606 |
| Accession Number: |
edsair.od......3810..ad94d306341f3eec616e8eca0cf00748 |
| Database: |
OpenAIRE |