Academic Journal
Исследование электрических характеристик GaAs–Ga2O3-структур
| Τίτλος: | Исследование электрических характеристик GaAs–Ga2O3-структур |
|---|---|
| Συνεισφορές: | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ |
| Πηγή: | Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55 № 8/2. С. 123-126 |
| Στοιχεία εκδότη: | 2012. |
| Έτος έκδοσης: | 2012 |
| Θεματικοί όροι: | арсенид галлия, вольт-сименсные характеристики, поверхностные состояния, оксид галлия, вольт-фарадные характеристики, МДП-структуры |
| Τύπος εγγράφου: | Article |
| Περιγραφή αρχείου: | application/pdf |
| Γλώσσα: | Russian |
| Σύνδεσμος πρόσβασης: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448592 |
| Αριθμός Καταχώρησης: | edsair.od......3810..620b6be8017c9b18beffa12b82fbdf48 |
| Βάση Δεδομένων: | OpenAIRE |
καταχωρήστε σχόλιο πρώτοι!