Bibliographic Details
| Title: |
Исследование электрических характеристик GaAs–Ga2O3-структур |
| Contributors: |
Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ |
| Source: |
Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55 № 8/2. С. 123-126 |
| Publisher Information: |
2012. |
| Publication Year: |
2012 |
| Subject Terms: |
арсенид галлия, вольт-сименсные характеристики, поверхностные состояния, оксид галлия, вольт-фарадные характеристики, МДП-структуры |
| Document Type: |
Article |
| File Description: |
application/pdf |
| Language: |
Russian |
| Access URL: |
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000448592 |
| Accession Number: |
edsair.od......3810..620b6be8017c9b18beffa12b82fbdf48 |
| Database: |
OpenAIRE |