Academic Journal
Влияние режима синтеза оксидного слоя на диэлектрические свойства структур Si/Al 2O 3/Al
| Τίτλος: | Влияние режима синтеза оксидного слоя на диэлектрические свойства структур Si/Al 2O 3/Al |
|---|---|
| Πηγή: | Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. |
| Στοιχεία εκδότη: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена», 2013. |
| Έτος έκδοσης: | 2013 |
| Θεματικοί όροι: | МДП-СТРУКТУРА, ОКСИДНЫЙ СЛОЙ, ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ, МOS-STRUCTURE |
| Περιγραφή: | Research of dielectric properties МOS-structures Si/Al 2O 3/Al on the basis of aluminium oxide layers received by the method of atomic layer deposition is carried out. Temperature-frequency dependences of real (ε`) and imaginary (ε``) components of complex dielectric permeability, di electric losses tanδ(f) and conductivity (σ ac) in the field of frequencies f = 1·10 -1–1·10 6 Hz are measured. It is established that in the examined structures the relaxation dispersion ε` and ε`` takes place. It is shown that dielectric losses in oxide layers are caused by relaxation polarization and through conductivity. It is found out that there is a hopping mechanism of conductivity with the frequency dependence of type σ ac ~ f 0.85. Parametres of spectrum of the localized states are estimated: radius of localization а = (3.66 ÷ 9.07) Å, the Fermi-level density of states (N F) N F = (8.34 ÷ 31.44) ·10 19 эВ -1·м -3 and the spread of these states (∆E) ∆Е ~ (10 -2 ± 10 -3) эВ, average time and distance (r 0) jumps τ = 1 µs and r 0 = (75 ÷ 188) Å. These features are explained in terms of structural properties of oxide layers. Проведено исследование диэлектрических свойств МДП-структур Si / Al 2 O 3 / Al на основе слоев оксида алюминия, полученных методом молекулярного наслаивания. Измерены температурно-частотные зависимости действительной (ε`) и мнимой (ε``) составляющих комплексной диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь tgδ ( f ) и проводимости (σ ac) в области частот f = 1·10 -1–1·10 6 Гц. Установлено, что в изученных структурах имеет место релаксационная дисперсия ε` и ε``. Показано, что диэлектрические потери в оксидном слое обусловлены релаксационной поляризацией и сквозной проводимостью. Обнаружено существование прыжкового механизма проводимости с частотной зависимостью типа σ ac ~ f 0.85. Оценены параметры энергетического спектра локализованных состояний: радиус локализации а = (3.66 ÷ 9.07) Å, плотность ( N F ) и разброс (∆E) этих состояний N F = (8.34 ÷ 31.44)·10 19 эВ –1·м –3, ∆Е ~(10 -2 ± 10 -3) эВ, среднее время (τ) и расстояние ( r 0 ) прыжков τ = 1 мкс и r 0 = (75 ÷ 188) Å. Обнаруженные закономерности объясняются особенностями двух структур. |
| Τύπος εγγράφου: | Article |
| Περιγραφή αρχείου: | text/html |
| Γλώσσα: | Russian |
| ISSN: | 1992-6464 |
| Σύνδεσμος πρόσβασης: | http://cyberleninka.ru/article/n/vliyanie-rezhima-sinteza-oksidnogo-sloya-na-dielektricheskie-svoystva-struktur-si-al-2o-3-al http://cyberleninka.ru/article_covers/14038707.png |
| Αριθμός Καταχώρησης: | edsair.od......2806..da1f16d9d2ffba17826d180cb5cfa7a2 |
| Βάση Δεδομένων: | OpenAIRE |
| ISSN: | 19926464 |
|---|