Academic Journal
Электронно-энергетические, магнитные и абсорбционные характеристики графеноподобного гексагонального нитрида бора с дефектами типа замещения и вакансии
| Τίτλος: | Электронно-энергетические, магнитные и абсорбционные характеристики графеноподобного гексагонального нитрида бора с дефектами типа замещения и вакансии |
|---|---|
| Πηγή: | Известия Волгоградского государственного технического университета. |
| Στοιχεία εκδότη: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Волгоградский государственный технический университет», 2013. |
| Έτος έκδοσης: | 2013 |
| Θεματικοί όροι: | ГРАФЕНОПОДОБНЫЙ ГЕКСАГОНАЛЬНЫЙ НИТРИД БОРА, МЕТОДЫ ТЕОРИИ ФУНКЦИОНАЛА ПЛОТНОСТИ, ДЕФЕКТЫ ТИПА ЗАМЕЩЕНИЯ И ВАКАНСИИ, ОПТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ПОГЛОЩЕНИЯ, МАГНИТНО-РАЗБАВЛЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, 0205 materials engineering, 0211 other engineering and technologies, 02 engineering and technology |
| Περιγραφή: | The computational procedure, based on density functional theory with the exchange-correlation potentials by gradient type in the valence Double-Zeta Polarized basis set of orbitals is used to calculate the spectrum of electron states, optical and magnetic properties of graphene-like boron nitride as the defect-free, and such as the with defective type of substitution (of atom B by atoms C, Be, Si and of atom N by atoms C, O) and boron (VB), nitrogen (VN) vacancies. It is shown that the active semiconductor nand ptype correspond to h-BN-structures with defects (O→N; Si→B) and (Be→B) type, respectively. All the modified materials meet low spin state (1μБ on (4×4)-cell), except in the case of the boron atom vacancy (3μБ on (4×4)-cell). A analysis of situation of the chemical potential has led to the conclusion that a significant increase in the emissivity of the electrons with the introduction of defects of type (O→N), (Si→B) and (Be→B). For the hBN-structures with defects in the optical absorption spectra there are low-energy bands, due to transitions of electrons with both the donor and acceptor states, arising in the band gap of defect-free material when modifying defects. Расчетная схема, базирующаяся на теории функционала плотности с обменно-корреляционным потенциалом градиентного типа в валентном базисе двухэкспонентных орбиталей, применена для расчета спектра одноэлектронных состояний, оптических и магнитных характеристик графеноподобного нитрида бора как бездефектного, так и с дефектами типа замещения (атомов B атомами C, Be, Si и атомов N атомами C, O) и вакансии атомов бора (VB) и атомов азота (VN). Показано, что активным полупроводникам nи pтипа отвечают h-BN-структуры с дефектами типа (O→N; Si→B) и (Be→B) соответственно. Всем модифицированным материалам отвечают низкоспиновые состояния (1μБ на (4×4)-ячейку), кроме случая вакансии атома бора (3μБ на (4×4)-ячейку). Анализ положения уровня химического потенциала привел к выводу о значительном увеличении эмиссионной способности электронов при введении дефектов типа (O→N), (Si→B) и (Be→B). Для h-BN-структур с дефектами в оптических спектрах поглощения появляются низкоэнергетические полосы, обусловленные переходами электронов с участием как донорных, так и акцепторных состояний, возникающих в запрещенной зоне бездефектного материала при его модифицировании дефектами. |
| Τύπος εγγράφου: | Article |
| Περιγραφή αρχείου: | text/html |
| Γλώσσα: | Russian |
| ISSN: | 1990-5297 |
| Σύνδεσμος πρόσβασης: | http://cyberleninka.ru/article_covers/14696388.png http://cyberleninka.ru/article/n/elektronno-energeticheskie-magnitnye-i-absorbtsionnye-harakteristiki-grafenopodobnogo-geksagonalnogo-nitrida-bora-s-defektami-tipa |
| Αριθμός Καταχώρησης: | edsair.od......2806..d13b5db0e45d9cf54d93bfaf70a12d8f |
| Βάση Δεδομένων: | OpenAIRE |
| FullText | Text: Availability: 0 CustomLinks: – Url: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2806%3A%3Ad13b5db0e45d9cf54d93bfaf70a12d8f Name: EDS - OpenAIRE (ns324271) Category: fullText Text: View record at OpenAIRE |
|---|---|
| Header | DbId: edsair DbLabel: OpenAIRE An: edsair.od......2806..d13b5db0e45d9cf54d93bfaf70a12d8f RelevancyScore: 766 AccessLevel: 3 PubType: Academic Journal PubTypeId: academicJournal PreciseRelevancyScore: 766.397033691406 |
| IllustrationInfo | |
| Items | – Name: Title Label: Title Group: Ti Data: Электронно-энергетические, магнитные и абсорбционные характеристики графеноподобного гексагонального нитрида бора с дефектами типа замещения и вакансии – Name: TitleSource Label: Source Group: Src Data: <i>Известия Волгоградского государственного технического университета</i>. – Name: Publisher Label: Publisher Information Group: PubInfo Data: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Волгоградский государственный технический университет», 2013. – Name: DatePubCY Label: Publication Year Group: Date Data: 2013 – Name: Subject Label: Subject Terms Group: Su Data: <searchLink fieldCode="DE" term="%22ГРАФЕНОПОДОБНЫЙ+ГЕКСАГОНАЛЬНЫЙ+НИТРИД+БОРА%2C+МЕТОДЫ+ТЕОРИИ+ФУНКЦИОНАЛА+ПЛОТНОСТИ%2C+ДЕФЕКТЫ+ТИПА+ЗАМЕЩЕНИЯ+И+ВАКАНСИИ%2C+ОПТИЧЕСКИЙ+СПЕКТР+ПОГЛОЩЕНИЯ%2C+МАГНИТНО-РАЗБАВЛЕННЫЕ+ПОЛУПРОВОДНИКИ%22">ГРАФЕНОПОДОБНЫЙ ГЕКСАГОНАЛЬНЫЙ НИТРИД БОРА, МЕТОДЫ ТЕОРИИ ФУНКЦИОНАЛА ПЛОТНОСТИ, ДЕФЕКТЫ ТИПА ЗАМЕЩЕНИЯ И ВАКАНСИИ, ОПТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ПОГЛОЩЕНИЯ, МАГНИТНО-РАЗБАВЛЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%220205+materials+engineering%22">0205 materials engineering</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%220211+other+engineering+and+technologies%22">0211 other engineering and technologies</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%2202+engineering+and+technology%22">02 engineering and technology</searchLink> – Name: Abstract Label: Description Group: Ab Data: The computational procedure, based on density functional theory with the exchange-correlation potentials by gradient type in the valence Double-Zeta Polarized basis set of orbitals is used to calculate the spectrum of electron states, optical and magnetic properties of graphene-like boron nitride as the defect-free, and such as the with defective type of substitution (of atom B by atoms C, Be, Si and of atom N by atoms C, O) and boron (VB), nitrogen (VN) vacancies. It is shown that the active semiconductor nand ptype correspond to h-BN-structures with defects (O→N; Si→B) and (Be→B) type, respectively. All the modified materials meet low spin state (1μБ on (4×4)-cell), except in the case of the boron atom vacancy (3μБ on (4×4)-cell). A analysis of situation of the chemical potential has led to the conclusion that a significant increase in the emissivity of the electrons with the introduction of defects of type (O→N), (Si→B) and (Be→B). For the hBN-structures with defects in the optical absorption spectra there are low-energy bands, due to transitions of electrons with both the donor and acceptor states, arising in the band gap of defect-free material when modifying defects.<br />Расчетная схема, базирующаяся на теории функционала плотности с обменно-корреляционным потенциалом градиентного типа в валентном базисе двухэкспонентных орбиталей, применена для расчета спектра одноэлектронных состояний, оптических и магнитных характеристик графеноподобного нитрида бора как бездефектного, так и с дефектами типа замещения (атомов B атомами C, Be, Si и атомов N атомами C, O) и вакансии атомов бора (VB) и атомов азота (VN). Показано, что активным полупроводникам nи pтипа отвечают h-BN-структуры с дефектами типа (O→N; Si→B) и (Be→B) соответственно. Всем модифицированным материалам отвечают низкоспиновые состояния (1μБ на (4×4)-ячейку), кроме случая вакансии атома бора (3μБ на (4×4)-ячейку). Анализ положения уровня химического потенциала привел к выводу о значительном увеличении эмиссионной способности электронов при введении дефектов типа (O→N), (Si→B) и (Be→B). Для h-BN-структур с дефектами в оптических спектрах поглощения появляются низкоэнергетические полосы, обусловленные переходами электронов с участием как донорных, так и акцепторных состояний, возникающих в запрещенной зоне бездефектного материала при его модифицировании дефектами. – Name: TypeDocument Label: Document Type Group: TypDoc Data: Article – Name: Format Label: File Description Group: SrcInfo Data: text/html – Name: Language Label: Language Group: Lang Data: Russian – Name: ISSN Label: ISSN Group: ISSN Data: 1990-5297 – Name: URL Label: Access URL Group: URL Data: <link linkTarget="URL" linkTerm="http://cyberleninka.ru/article_covers/14696388.png" linkWindow="_blank">http://cyberleninka.ru/article_covers/14696388.png</link><br /><link linkTarget="URL" linkTerm="http://cyberleninka.ru/article/n/elektronno-energeticheskie-magnitnye-i-absorbtsionnye-harakteristiki-grafenopodobnogo-geksagonalnogo-nitrida-bora-s-defektami-tipa" linkWindow="_blank">http://cyberleninka.ru/article/n/elektronno-energeticheskie-magnitnye-i-absorbtsionnye-harakteristiki-grafenopodobnogo-geksagonalnogo-nitrida-bora-s-defektami-tipa</link> – Name: AN Label: Accession Number Group: ID Data: edsair.od......2806..d13b5db0e45d9cf54d93bfaf70a12d8f |
| PLink | https://search.ebscohost.com/login.aspx?direct=true&site=eds-live&db=edsair&AN=edsair.od......2806..d13b5db0e45d9cf54d93bfaf70a12d8f |
| RecordInfo | BibRecord: BibEntity: Languages: – Text: Russian Subjects: – SubjectFull: ГРАФЕНОПОДОБНЫЙ ГЕКСАГОНАЛЬНЫЙ НИТРИД БОРА, МЕТОДЫ ТЕОРИИ ФУНКЦИОНАЛА ПЛОТНОСТИ, ДЕФЕКТЫ ТИПА ЗАМЕЩЕНИЯ И ВАКАНСИИ, ОПТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ПОГЛОЩЕНИЯ, МАГНИТНО-РАЗБАВЛЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ Type: general – SubjectFull: 0205 materials engineering Type: general – SubjectFull: 0211 other engineering and technologies Type: general – SubjectFull: 02 engineering and technology Type: general Titles: – TitleFull: Электронно-энергетические, магнитные и абсорбционные характеристики графеноподобного гексагонального нитрида бора с дефектами типа замещения и вакансии Type: main BibRelationships: IsPartOfRelationships: – BibEntity: Dates: – D: 01 M: 01 Type: published Y: 2013 Identifiers: – Type: issn-print Value: 19905297 – Type: issn-locals Value: edsair – Type: issn-locals Value: edsairFT Titles: – TitleFull: Известия Волгоградского государственного технического университета Type: main |
| ResultId | 1 |