Academic Journal
Электронно-энергетические, магнитные и абсорбционные характеристики графеноподобного гексагонального нитрида бора с дефектами типа замещения и вакансии
| Title: | Электронно-энергетические, магнитные и абсорбционные характеристики графеноподобного гексагонального нитрида бора с дефектами типа замещения и вакансии |
|---|---|
| Source: | Известия Волгоградского государственного технического университета. |
| Publisher Information: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Волгоградский государственный технический университет», 2013. |
| Publication Year: | 2013 |
| Subject Terms: | ГРАФЕНОПОДОБНЫЙ ГЕКСАГОНАЛЬНЫЙ НИТРИД БОРА, МЕТОДЫ ТЕОРИИ ФУНКЦИОНАЛА ПЛОТНОСТИ, ДЕФЕКТЫ ТИПА ЗАМЕЩЕНИЯ И ВАКАНСИИ, ОПТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ПОГЛОЩЕНИЯ, МАГНИТНО-РАЗБАВЛЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, 0205 materials engineering, 0211 other engineering and technologies, 02 engineering and technology |
| Description: | The computational procedure, based on density functional theory with the exchange-correlation potentials by gradient type in the valence Double-Zeta Polarized basis set of orbitals is used to calculate the spectrum of electron states, optical and magnetic properties of graphene-like boron nitride as the defect-free, and such as the with defective type of substitution (of atom B by atoms C, Be, Si and of atom N by atoms C, O) and boron (VB), nitrogen (VN) vacancies. It is shown that the active semiconductor nand ptype correspond to h-BN-structures with defects (O→N; Si→B) and (Be→B) type, respectively. All the modified materials meet low spin state (1μБ on (4×4)-cell), except in the case of the boron atom vacancy (3μБ on (4×4)-cell). A analysis of situation of the chemical potential has led to the conclusion that a significant increase in the emissivity of the electrons with the introduction of defects of type (O→N), (Si→B) and (Be→B). For the hBN-structures with defects in the optical absorption spectra there are low-energy bands, due to transitions of electrons with both the donor and acceptor states, arising in the band gap of defect-free material when modifying defects. Расчетная схема, базирующаяся на теории функционала плотности с обменно-корреляционным потенциалом градиентного типа в валентном базисе двухэкспонентных орбиталей, применена для расчета спектра одноэлектронных состояний, оптических и магнитных характеристик графеноподобного нитрида бора как бездефектного, так и с дефектами типа замещения (атомов B атомами C, Be, Si и атомов N атомами C, O) и вакансии атомов бора (VB) и атомов азота (VN). Показано, что активным полупроводникам nи pтипа отвечают h-BN-структуры с дефектами типа (O→N; Si→B) и (Be→B) соответственно. Всем модифицированным материалам отвечают низкоспиновые состояния (1μБ на (4×4)-ячейку), кроме случая вакансии атома бора (3μБ на (4×4)-ячейку). Анализ положения уровня химического потенциала привел к выводу о значительном увеличении эмиссионной способности электронов при введении дефектов типа (O→N), (Si→B) и (Be→B). Для h-BN-структур с дефектами в оптических спектрах поглощения появляются низкоэнергетические полосы, обусловленные переходами электронов с участием как донорных, так и акцепторных состояний, возникающих в запрещенной зоне бездефектного материала при его модифицировании дефектами. |
| Document Type: | Article |
| File Description: | text/html |
| Language: | Russian |
| ISSN: | 1990-5297 |
| Access URL: | http://cyberleninka.ru/article_covers/14696388.png http://cyberleninka.ru/article/n/elektronno-energeticheskie-magnitnye-i-absorbtsionnye-harakteristiki-grafenopodobnogo-geksagonalnogo-nitrida-bora-s-defektami-tipa |
| Accession Number: | edsair.od......2806..d13b5db0e45d9cf54d93bfaf70a12d8f |
| Database: | OpenAIRE |
| ISSN: | 19905297 |
|---|