(2010). Гетероэпитаксиальные структуры AlN/Al2O3 и GaN/Al2O3 для акустоэлектронных СВЧ устройств. Современные наукоемкие технологии.
Chicago Style (17th ed.) Citation"Гетероэпитаксиальные структуры AlN/Al2O3 и GaN/Al2O3 для акустоэлектронных СВЧ устройств." Современные наукоемкие технологии 2010.
MLA (9th ed.) Citation"Гетероэпитаксиальные структуры AlN/Al2O3 и GaN/Al2O3 для акустоэлектронных СВЧ устройств." Современные наукоемкие технологии, 2010.
Warning: These citations may not always be 100% accurate.