Academic Journal
Исследование режимов плазмохимического осаждения пленок нанои поликристаллического кремния
| Title: | Исследование режимов плазмохимического осаждения пленок нанои поликристаллического кремния |
|---|---|
| Source: | Фундаментальные исследования. |
| Publisher Information: | Общество с ограниченной ответственностью "Издательский Дом "Академия Естествознания", 2012. |
| Publication Year: | 2012 |
| Subject Terms: | НАНОТЕХНОЛОГИИ, ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ, НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ, ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ, 7. Clean energy |
| Description: | Представлены результаты экспериментальных исследований режимов плазмохимического осаждения пленок кремния. Выявлен ряд параметров, влияющих на фазу, значение размера кристаллов и среднеквадратическое значение шероховатости полученных пленок. Установлены режимы, обеспечивающие получение пленок нанои поликристаллического кремния с размером кристаллов 40–100 и 100–250 нм и среднеквадратическим значением шероховатости 1,4–3,5 и 1,1–2,6 нм соответственно. Методами дифракции быстрых электронов на отражение и эллипсометрии установлено, что с увеличением температуры структура полученных пленок претерпевает переход от аморфной фазы к нанокристаллической при температуре около 540 °С и поликристаллической при 610 °С. Микроскопические исследования показали, что размер кристаллов и СКЗ шероховатости поверхности увеличивается с температурой и давлением в камере. Отмечается наличие максимума на температурной зависимости СКЗ шероховатости при 600 °С. Влияние мощности разряда на размер кристаллов было незначительным и требует дальнейшего уточнения. We have investigated the effect of power, chamber pressure and temperature on the structural properties of silicon film grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition. Reflection high-energy electron diffraction and ellipsometry shown amorphous, nanoand polycrystalline structure of layers obtained. Amorphous phase turn into nanocrystalline at 540 °С, and to polycrystalline at 610 °С. Atomic force microscopy data analysis clearly showed the grain size and root-mean square roughness increased with the temperature and pressure. However the RMS roughness has reached maximum at 600 °С with following decreasing. Effect of power on the crystal size was negligible, and requires further accurate definition. Thus deposition conditions of nanoand polycrystalline silicon films with the grain size of 40–100 and 100–250 nm, and RMS roughness of 1,4–3,5 and 1,1–2,6 nm, respectively were obtained and are challenging for gas sensor, MEMS, optoelectronic and solar cell device construction and manufacturing. |
| Document Type: | Article |
| File Description: | text/html |
| Language: | Russian |
| ISSN: | 1812-7339 |
| Access URL: | http://cyberleninka.ru/article/n/issledovanie-rezhimov-plazmohimicheskogo-osazhdeniya-plenok-nanoi-polikristallicheskogo-kremniya http://cyberleninka.ru/article_covers/15128828.png |
| Accession Number: | edsair.od......2806..5ef826b39c405b9b38f2264c8c9a04ee |
| Database: | OpenAIRE |
| ISSN: | 18127339 |
|---|