Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
| Τίτλος: |
Радiацiйностiйкий запам’ятовуючий пристрiй на базi халькогенiдного склоподiбного напiвпровiдника |
| Συγγραφείς: |
Слободян, I. В. |
| Συνεισφορές: |
ELAKPI |
| Στοιχεία εκδότη: |
КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2020. |
| Έτος έκδοσης: |
2020 |
| Θεματικοί όροι: |
переход Шоттки, Schottky junction, комiрка пам'ятi, халькогенидние стеклообразние полупроводники, 02 engineering and technology, радiацiйна стiйкiсть, доза облучения, халькогенiднi склоподiбнi напiвпровiдники, радиационная стойкость, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, пленочный полевой транзистор, chalcogenide glassy semiconductors, radiation resistance, перехiд Шотткi, ячейка памяти, irradiation dose, аморфный полупроводник, аморфний напiвпровiдник, y - quanta, доза опромiнення, y – кванти, film transistor, плiвковий польовий транзистор, amorphous semiconductor, memory cell, y - кванты |
| Τύπος εγγράφου: |
Article |
| Περιγραφή αρχείου: |
application/pdf |
| Γλώσσα: |
Ukrainian |
| Σύνδεσμος πρόσβασης: |
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/46503 |
| Αριθμός Καταχώρησης: |
edsair.od......2635..2c483c007dd8251e01014415d5dfeb77 |
| Βάση Δεδομένων: |
OpenAIRE |