Academic Journal

Анализ методов уменьшения тока и мощности утечки в ячейке SRAM на основе FinFET транзисторов

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Τίτλος: Анализ методов уменьшения тока и мощности утечки в ячейке SRAM на основе FinFET транзисторов
Συνεισφορές: ELAKPI
Στοιχεία εκδότη: НТУУ «КПИ», 2015.
Έτος έκδοσης: 2015
Θεματικοί όροι: ток утечки затвора, под-пороговый ток утечки, статическое оперативное запоминающее устройство, ОЗУ, ток утечки, FinFET, потребляемая мощность
Τύπος εγγράφου: Article
Περιγραφή αρχείου: application/pdf
Γλώσσα: Russian
Σύνδεσμος πρόσβασης: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/22118
Αριθμός Καταχώρησης: edsair.od......2635..163c332ddb6e96ea93b0c99f6af6dc4e
Βάση Δεδομένων: OpenAIRE