Academic Journal

Анализ методов уменьшения тока и мощности утечки в ячейке SRAM на основе FinFET транзисторов

Bibliographic Details
Title: Анализ методов уменьшения тока и мощности утечки в ячейке SRAM на основе FinFET транзисторов
Contributors: ELAKPI
Publisher Information: НТУУ «КПИ», 2015.
Publication Year: 2015
Subject Terms: ток утечки затвора, под-пороговый ток утечки, статическое оперативное запоминающее устройство, ОЗУ, ток утечки, FinFET, потребляемая мощность
Document Type: Article
File Description: application/pdf
Language: Russian
Access URL: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/22118
Accession Number: edsair.od......2635..163c332ddb6e96ea93b0c99f6af6dc4e
Database: OpenAIRE
Description
Description not available.