Academic Journal

Особливості впливу X-випромінювання та магнітного поля на електрофізичні характеристики бар’єрних структур на основі дислокаційного p-Si, призначеного для сонячної енергетики

Bibliographic Details
Title: Особливості впливу X-випромінювання та магнітного поля на електрофізичні характеристики бар’єрних структур на основі дислокаційного p-Si, призначеного для сонячної енергетики
Publisher Information: Сумський державний університет, 2015.
Publication Year: 2015
Subject Terms: вольт-амперна характеристика, I-V characteristics, магнитное поле, поверхностные состояния, поверхностно-барьерная структура, магнітне поле, silicon, дислокації, magnetic field, дислокации, вольт-фарадна характеристика, кремній, кремний, вольт-фарадная характеристика, X-rays, C-V characteristics, surface states, Х-излучения, surface-barrier structures, поверхнево-бар'єрна структура, Х-випромінювання, поверхневі стани, dislocations, вольт-амперная характеристика
Description: У роботі описано вплив малих доз Х-випромінювання (D < 400 Гр) та слабкого магнітного поля (B  0,17 Тл) на зміну вольт-амперних та вольт-фарадних характеристик поверхнево-бар’єрних стру-ктур Bi-Si-Al на основі кристалів p-Si з концентрацією дислокацій  102 см – 2 в приповерхневому шарі кремнію. Досліджено та проаналізовано процес накопичення заряду в діелектричному шарі SiO2 таких структур за дії зовнішніх полів. В работе описывается влияние малых доз Х-излучения (D < 400 Гр) и слабого магнитного поля (B  0,17 Тл) на смену вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик поверхностно-барьерных структур Bi-Si-Al на основе кристаллов p-Si с концентрацией дислокаций  102 см – 2 в приповерхностном слое кремния. Исследован и проанализирован процесс накопления заряда в диэлектрическом слое SiO2 таких структур под воздействием внешних полей. This paper reviews the influence of low doses X-rays (D < 400 Gy) and weak magnetic field (B  0.17 T) on the I-V and C-V characteristics changes of surface-barrier Bi-Si-Al structures based on p-Si crystals with dislocation concentration  102 cm – 2 in the surface layer of silicon. The charge accumulation in the SiO2 dielectric layer of the structures under the action of external fields was investigated and analyzed.
Document Type: Article
File Description: application/pdf
Language: Ukrainian
Access URL: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43268
Accession Number: edsair.od......2001..bdaac06c15fc67bd60e0f5f9aad5b3cc
Database: OpenAIRE
Description
Description not available.