Academic Journal
Определение кремния в трисульфиде димышьяка и прекурсорах атомно-эмиссионным методом с концентрированием примесей в электроде
| Τίτλος: | Определение кремния в трисульфиде димышьяка и прекурсорах атомно-эмиссионным методом с концентрированием примесей в электроде |
|---|---|
| Συγγραφείς: | Lebedeva, R. V., Pimenov, V. G. |
| Στοιχεία εκδότη: | Уральский федеральный университет, 2016. |
| Έτος έκδοσης: | 2016 |
| Θεματικοί όροι: | ARSENIC SULFIDE GLASSES, CONCENTRATION OF THE IMPURITIES, ОПРЕДЕЛЕНИЕ КРЕМНИЯ, СУЛЬФИДНО-МЫШЬЯКОВЫЕ СТЕКЛА, ARSENIC SULFIDES, SULFUR, СУЛЬФИДЫ МЫШЬЯКА, КОНЦЕНТРИРОВАНИЕ ПРИМЕСЕЙ, АТОМНО-ЭМИССИОННАЯ СПЕКТРОМЕТРИЯ, ATOMIC-EMISSION SPECTROMETRY, СЕРА |
| Περιγραφή: | Разработана методика дугового атомно-эмиссионного анализа прекурсоров и стекол из трисульфида димышьяка с концентрированием кремния и других нелетучих примесей в кратере графитового электрода отгонкой матрицы. Предел обнаружения примеси кремния в граммовой аналитической навеске составил 7·10⁻⁷ % мас. The atomic-emission technique for determination of silicon and other nonvolatile impurities in precursors and diarsenic trisulfide glasses was developed using matrix distillation from the crater of the graphite electrode. The detection limit (3σ criteria) of silicon gramsample was 7·10⁻⁷ % wt. |
| Τύπος εγγράφου: | Article |
| Περιγραφή αρχείου: | application/pdf |
| Γλώσσα: | Russian |
| Σύνδεσμος πρόσβασης: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/42513 |
| Αριθμός Καταχώρησης: | edsair.od.......917..f98eef020523a4fe836c4d5190cd8ab4 |
| Βάση Δεδομένων: | OpenAIRE |
| Η περιγραφή δεν είναι διαθέσιμη |