Academic Journal
Определение кремния в трисульфиде димышьяка и прекурсорах атомно-эмиссионным методом с концентрированием примесей в электроде
| Title: | Определение кремния в трисульфиде димышьяка и прекурсорах атомно-эмиссионным методом с концентрированием примесей в электроде |
|---|---|
| Authors: | Lebedeva, R. V., Pimenov, V. G. |
| Publisher Information: | Уральский федеральный университет, 2016. |
| Publication Year: | 2016 |
| Subject Terms: | ARSENIC SULFIDE GLASSES, CONCENTRATION OF THE IMPURITIES, ОПРЕДЕЛЕНИЕ КРЕМНИЯ, СУЛЬФИДНО-МЫШЬЯКОВЫЕ СТЕКЛА, ARSENIC SULFIDES, SULFUR, СУЛЬФИДЫ МЫШЬЯКА, КОНЦЕНТРИРОВАНИЕ ПРИМЕСЕЙ, АТОМНО-ЭМИССИОННАЯ СПЕКТРОМЕТРИЯ, ATOMIC-EMISSION SPECTROMETRY, СЕРА |
| Description: | Разработана методика дугового атомно-эмиссионного анализа прекурсоров и стекол из трисульфида димышьяка с концентрированием кремния и других нелетучих примесей в кратере графитового электрода отгонкой матрицы. Предел обнаружения примеси кремния в граммовой аналитической навеске составил 7·10⁻⁷ % мас. The atomic-emission technique for determination of silicon and other nonvolatile impurities in precursors and diarsenic trisulfide glasses was developed using matrix distillation from the crater of the graphite electrode. The detection limit (3σ criteria) of silicon gramsample was 7·10⁻⁷ % wt. |
| Document Type: | Article |
| File Description: | application/pdf |
| Language: | Russian |
| Access URL: | http://elar.urfu.ru/handle/10995/42513 |
| Accession Number: | edsair.od.......917..f98eef020523a4fe836c4d5190cd8ab4 |
| Database: | OpenAIRE |
| Description not available. |