Academic Journal

Надежность кристаллов динамических ОЗУ при коррекции сбоев в процессе регенерации информации

Bibliographic Details
Title: Надежность кристаллов динамических ОЗУ при коррекции сбоев в процессе регенерации информации
Publisher Information: 1990.
Publication Year: 1990
Subject Terms: полупроводниковые оперативные запоминающие устройства, код Хемминга
Description: Проведен анализ надежности полупроводниковых оперативных запоминающих устройств динамического типа при коррекции кодом Хемминга одиночных ошибок в кодовых словах различной длины в режиме регенерации информации. Сделаны практические выводы о влиянии на надежность БИС некоторых конструктивно-технологических и технических параметров кристалла.
Document Type: Article
File Description: application/pdf
Access URL: https://openrepository.ru/article?id=34740
Accession Number: edsair.httpsopenrep..cf2ac77c0505062f8af8bbfcd7d34296
Database: OpenAIRE
Be the first to leave a comment!
You must be logged in first