Academic Journal
View in EDS

Надежность кристаллов динамических ОЗУ при коррекции сбоев в процессе регенерации информации

Bibliographic Details
Title: Надежность кристаллов динамических ОЗУ при коррекции сбоев в процессе регенерации информации
Publisher Information: 1990.
Publication Year: 1990
Subject Terms: полупроводниковые оперативные запоминающие устройства, код Хемминга
Description: Проведен анализ надежности полупроводниковых оперативных запоминающих устройств динамического типа при коррекции кодом Хемминга одиночных ошибок в кодовых словах различной длины в режиме регенерации информации. Сделаны практические выводы о влиянии на надежность БИС некоторых конструктивно-технологических и технических параметров кристалла.
Document Type: Article
File Description: application/pdf
Access URL: https://openrepository.ru/article?id=34740
Accession Number: edsair.httpsopenrep..cf2ac77c0505062f8af8bbfcd7d34296
Database: OpenAIRE
FullText Text:
  Availability: 0
Header DbId: edsair
DbLabel: OpenAIRE
An: edsair.httpsopenrep..cf2ac77c0505062f8af8bbfcd7d34296
RelevancyScore: 739
AccessLevel: 3
PubType: Academic Journal
PubTypeId: academicJournal
PreciseRelevancyScore: 738.93701171875
IllustrationInfo
Items – Name: Title
  Label: Title
  Group: Ti
  Data: Надежность кристаллов динамических ОЗУ при коррекции сбоев в процессе регенерации информации
– Name: Publisher
  Label: Publisher Information
  Group: PubInfo
  Data: 1990.
– Name: DatePubCY
  Label: Publication Year
  Group: Date
  Data: 1990
– Name: Subject
  Label: Subject Terms
  Group: Su
  Data: <searchLink fieldCode="DE" term="%22полупроводниковые+оперативные+запоминающие+устройства%22">полупроводниковые оперативные запоминающие устройства</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22код+Хемминга%22">код Хемминга</searchLink>
– Name: Abstract
  Label: Description
  Group: Ab
  Data: Проведен анализ надежности полупроводниковых оперативных запоминающих устройств динамического типа при коррекции кодом Хемминга одиночных ошибок в кодовых словах различной длины в режиме регенерации информации. Сделаны практические выводы о влиянии на надежность БИС некоторых конструктивно-технологических и технических параметров кристалла.
– Name: TypeDocument
  Label: Document Type
  Group: TypDoc
  Data: Article
– Name: Format
  Label: File Description
  Group: SrcInfo
  Data: application/pdf
– Name: URL
  Label: Access URL
  Group: URL
  Data: <link linkTarget="URL" linkTerm="https://openrepository.ru/article?id=34740" linkWindow="_blank">https://openrepository.ru/article?id=34740</link>
– Name: AN
  Label: Accession Number
  Group: ID
  Data: edsair.httpsopenrep..cf2ac77c0505062f8af8bbfcd7d34296
PLink https://search.ebscohost.com/login.aspx?direct=true&site=eds-live&db=edsair&AN=edsair.httpsopenrep..cf2ac77c0505062f8af8bbfcd7d34296
RecordInfo BibRecord:
  BibEntity:
    Languages:
      – Text: Undetermined
    Subjects:
      – SubjectFull: полупроводниковые оперативные запоминающие устройства
        Type: general
      – SubjectFull: код Хемминга
        Type: general
    Titles:
      – TitleFull: Надежность кристаллов динамических ОЗУ при коррекции сбоев в процессе регенерации информации
        Type: main
  BibRelationships:
    IsPartOfRelationships:
      – BibEntity:
          Dates:
            – D: 01
              M: 01
              Type: published
              Y: 1990
          Identifiers:
            – Type: issn-locals
              Value: edsair
ResultId 1