Bibliographic Details
| Title: |
Прогнозирование времени хранения информации после отключения питания для интегральных микросхем энергонезависимой памяти |
| Authors: |
Plebanovich, V. I., Borovikov, S. M., Shneiderov, E. N., Burak, I. A. |
| Publisher Information: |
БГУИР, 2016. |
| Publication Year: |
2016 |
| Subject Terms: |
время хранения информации, отключение питания, information storage time, power is turned off, энергонезависимая память, интегральные микросхемы, integrated circuits, EEPROM, доклады БГУИР |
| Description: |
Для кристаллов интегральных микросхем (ИМС) энергонезависимой памяти предлагается способ прогнозирования времени хранения информации после отключения питания. Прогнозирование выполняется с использованием ускоренных испытаний, в качестве которых рассматриваются температурные воздействия, сопровождающие технологические операции помещения кристалла в корпус и сборки ИМС. Для комплекса воздействий с учетом всех технологических операций сборки ИМС выполнена оценка коэффициента ускорения испытаний и для нормальных условий эксплуатации кристалла ИМС найдено гарантированное время хранения информации после отключения питания.For crystals of EEPROM integrated circuits (ICs) a method for predicting of information storage time after the power is turned off is provided. Prediction is performed using the accelerated tests, which are considered as the temperature effects that accompany the technological operations in the premises of the crystal body and the ICs assembly. All technological IC assembly operations have complex effect. For this effect, estimated coefficient of acceleration tests is founded. Also for normal operating conditions of the ICs it's found the guaranteed time of information storage after power off. |
| Document Type: |
Article |
| Language: |
Russian |
| Access URL: |
https://openrepository.ru/article?id=208928 |
| Accession Number: |
edsair.httpsopenrep..47f2411c9830bea707a4d07660310bbc |
| Database: |
OpenAIRE |