Academic Journal
ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ НИЗКОРЕЗИСТИВНЫХ ШУНТОВ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ АНИЗОТРОПНЫХ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ МАГНИТНОГО ПОЛЯ
| Title: | ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ НИЗКОРЕЗИСТИВНЫХ ШУНТОВ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ АНИЗОТРОПНЫХ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ МАГНИТНОГО ПОЛЯ |
|---|---|
| Publisher Information: | Институт проблем управления им. В. А. Трапезникова РАН, 2020. |
| Publication Year: | 2020 |
| Subject Terms: | anisotropic magnetoresistive effect, thin-film technology, тонкопленочная технология, magnetoresistive nanostructure, преобразователь магнитного поля, магниторезистивная наноструктура, анизотропный магниторезистивный эффект, magnetic field transducer |
| Description: | Показана актуальность анизотропных магниторезистивных преобразователей магнитного поля с низкорезистивными шунтами для применения в условиях слабых магнитных полей. Представлены результаты экспериментальных исследований анизотропных магниторезистивных преобразователей магнитного поля с различными параметрами низкорезистивных шунтов и однослойных полосок из сплава FeNiCo. Рассмотрены конструктивно-технологические решения для повышения чувствительности, снижения гистерезиса и остаточно-эквивалентного магнитного поля. The relevance of anisotropic magnetoresistive magnetic field transducers with low resistance shunts for use in low magnetic fields is demonstrated. The results of experimental studies of anisotropic magnetoresistive magnetic field transducers with various parameters of low-resistance shunts and single-layer strips of FeNiCo alloy are presented. Structural and technological solutions have been established to increase sensitivity, reduce hysteresis and residual-equivalent magnetic field. Датчики и системы, Выпуск 2 (244) 2020 |
| Document Type: | Article |
| Language: | Russian |
| DOI: | 10.25728/datsys.2020.2.10 |
| Accession Number: | edsair.doi...........f0e73f6ff2524c81c2c6080361630d82 |
| Database: | OpenAIRE |
| DOI: | 10.25728/datsys.2020.2.10 |
|---|