Academic Journal
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОСТРАДИАЦИОННОЙ РЕЛАКСАЦИИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ИМС БИПОЛЯРНОЙ ТЕХНОЛОГИИ
| Τίτλος: | МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОСТРАДИАЦИОННОЙ РЕЛАКСАЦИИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ИМС БИПОЛЯРНОЙ ТЕХНОЛОГИИ |
|---|---|
| Στοιχεία εκδότη: | Институт проблем управления им. В. А. Трапезникова РАН, 2022. |
| Έτος έκδοσης: | 2022 |
| Θεματικοί όροι: | дозовые эффекты, ионизирующее излучение, биполярный транзистор, модель Гуммеля-Пуна |
| Περιγραφή: | Dependences of LM111 voltage comparator input current on time during post-radiation annealing are investigated. The technique based on the Gummel-Poon model of a bipolar transistor for numerical simulation of the annealing process, taking into account the temperature drift of the radiation-sensitive parameter is presented. Исследованы зависимости входного тока компаратора напряжения LM111 от времени в процессе послерадиационного отжига. Представлена методика численного моделирования процесса отжига с учетом температурного дрейфа радиационно-чувствительного параметра, основанная на модели Гуммеля-Пуна для биполярного транзистора. Датчики и системы, Выпуск 5 (258) 2022, Pages 69-71 |
| Τύπος εγγράφου: | Article |
| Γλώσσα: | Russian |
| DOI: | 10.25728/datsys.2021.5.14 |
| Αριθμός Καταχώρησης: | edsair.doi...........f0aa0ce881cdfbbfd7d02c805e719e0a |
| Βάση Δεδομένων: | OpenAIRE |
| DOI: | 10.25728/datsys.2021.5.14 |
|---|