Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
| Τίτλος: |
Mg2Si film on Si(111) prepared by Ultra-Fast Mg reactive deposition: crystal structure and thermoelectric properties |
| Συγγραφείς: |
Chernev, Igor, Subbotin, Evgenii, Argunov, Efim, Kozlov, Aleksei, Gerasimenko, Andrey, Galkin, Nikolay, Poliakov, Maxim, Volkova, Lidiya, Dudin, Alexander |
| Στοιχεία εκδότη: |
St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics, 2023. |
| Έτος έκδοσης: |
2023 |
| Θεματικοί όροι: |
reactive epitaxy, crystal structure, эпитаксия, реактивная эпитаксия, epitaxy, silicon, Seebeck coefficient, power factor, фактор мощности, импульсное осаждение, кремний, микроскопия, transport properties, microscopy, пленки, films, pulsed deposition, силицид магния, magnesium silicide, кристаллическая структура, коэффициент Зеебека, транспортные свойства |
| Περιγραφή: |
Пленка Mg2Si толщиной ~ 800 нм была выращена методом импульсного реактивного осаждения Mg на Si(111) при 340 °C в условиях сверхвысокого вакуума. Структурные исследования с помощью рентгеновской дифракции, сканирующей электронной микроскопии и высокоразрешающей просвечивающей микроскопии поперечного сечения образца демонстрируют высокое кристаллическое качество и 100% текстуру пленки. Термоэлектрические свойства пленки Mg2Si были исследованы в диапазоне температур от 290 К до 470 К. Тип проводимости пленки меняется с р-типа проводимости при температурах ниже 309 К на n-тип при более высоких температурах. Фактор мощности составляет 0.27 мВт/м×К2 при 470 К. Проводимость p-типа может быть связана с наличием кислорода, и/или вакансиями Mg и тройными вакансиями Mg2Si.
The Mg2Si film (~ 800 nm thick) was grown by pulsed reactive deposition of Mg on Si(111) at 340 °C in UHV. Structural investigations by XRD, SEM and cross-sectional x-HRTEM demonstrate high crystal quality and 100% texture of the film. Thermoelectric properties of the Mg2Si film are characterized within 290 - 470 K. The film conductivity changes from p-type below 309 K to n-type at higher temperatures. The power factor is 0.27 mW/m×K2 at 470 K. The p-type conductivity can be associated with presence of oxygen or/and vacancies (VMg, VMg2Si). |
| Τύπος εγγράφου: |
Other literature type |
| Γλώσσα: |
English |
| DOI: |
10.18721/jpm.163.119 |
| Αριθμός Καταχώρησης: |
edsair.doi...........ea2e6dee99c609dd11a8707a4f79579f |
| Βάση Δεδομένων: |
OpenAIRE |