Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
| Τίτλος: |
Multilevel resistive switching in forming-free nanocrystalline ZnO films for neuromorphic applications |
| Συγγραφείς: |
Tominov, Roman, Shihovtsov, Ivan, Khakhulin, Daniil, Vakulov, Zakhar, Smirnov, Vladimir |
| Στοιχεία εκδότη: |
St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics, 2023. |
| Έτος έκδοσης: |
2023 |
| Θεματικοί όροι: |
ReRAM, многоуровневое резистивное переключение, neuromorphic systems, forming-free nanocrystalline ZnO, forming-free нанокристаллический ZnO, мемристор, импульсное лазерное осаждение, memristor, pulsed laser deposition, нейроморфные системы, multilevel resistive switching |
| Περιγραφή: |
Мы экспериментально исследовали многоуровневое резистивное переключение в forming-free нанокристаллических пленках ZnO. Было показано, что потенцирование и депрессия при 0,5 В и -0,5 В в течение 3000 циклов привели к увеличению сопротивления пленки на 3 порядка. Также было показано, что пленки ZnO успешно имитируют биологическую память путем увеличения числа импульсов стимуляции. Фиксация амплитуды обучающих импульсов позволяет достичь различных резистивных состояний, таких как уровни синаптического веса биологического мозга. Полученные результаты могут быть использованы для изготовления элементов ReRAM нейроморфных систем искусственного интеллекта на основе forming-free нанокристаллических пленок ZnO.
We have experimentally studied the multilevel resistive switching in forming-free nanocrystalline ZnO films. It was shown that potentiation and depression at 0.5 V and ‒0.5 V for 3000 cycles led to the film resistance increasing by 3 orders of magnitude. In addition, it was shown that ZnO films successfully mimic biological memory through increased pulse number stimulation. Fixing the amplitude of the training pulses makes it possible to achieve different resistive states such as synaptic weight levels of the biological brain. The obtained results can be used for ReRAM elements of neuromorphic artificial intelligence systems fabrication based on forming-free nanocrystalline ZnO films. |
| Τύπος εγγράφου: |
Other literature type |
| Γλώσσα: |
English |
| DOI: |
10.18721/jpm.161.238 |
| Αριθμός Καταχώρησης: |
edsair.doi...........df38c08955742bda5a5675bcc49bfd82 |
| Βάση Δεδομένων: |
OpenAIRE |