Bibliographic Details
| Title: |
GaN based ultraviolet narrowband photodetectors |
| Authors: |
Sinitskaya, Olesya, Shubina, Kseniia, Mokhov, Dmitry, Baranov, Artem, Mizerov, Andrey, Nikitina, Ekaterina |
| Publisher Information: |
St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics, 2024. |
| Publication Year: |
2024 |
| Subject Terms: |
metal-semiconductor-metal, ультрафиолетовый фотодетектор, металл-полупроводник-металл, узкополосный фотодетектор, ultraviolet photodetector, narrowband photodetector, GaN |
| Description: |
В данной работе были изготовлены ультрафиолетовые фотодетекторы типа металл-полупроводник-металл с полупрозрачными Ni/Au встречно-штыревыми электродами на основе гетероструктуры GaN/i-GaN/c-Al2O3. Исследованы их вольт-амперные характеристики, быстродействие и спектральные характеристики. Было обнаружено, что устройства имеют максимальную чувствительность на длине волны 364 нм с полной шириной на уровне половины высоты 11 нм, таким образом, представленные ФД являются узкополосными.
In this work ultraviolet metal-semiconductor-metal photodetectors with semitransparent Ni/Au interdigitated electrodes based on GaN/i-GaN/c-Al2O3 heterostructure were fabricated. The current-voltage, transient photoresponse on-off and spectral characteristics of the formed photodetectors were studied. It was found that the devices have a maximum responsivity at a wavelength of 364 nm with full width at half maximum of 11 nm, thus the presented PDs are narrowband. |
| Document Type: |
Other literature type |
| Language: |
English |
| DOI: |
10.18721/jpm.173.144 |
| Accession Number: |
edsair.doi...........c9844e51a169d108487a12a39f528ab9 |
| Database: |
OpenAIRE |