Bibliographic Details
| Title: |
Influence of the doping level in the absorption layer of InGaAs/InP 2.5 μm photodetectors on their electrical properties |
| Authors: |
Barantsev, Oleg, Vasilkova, Elena, Pirogov, Evgeny, Shubina, Ksenya, Baranov, Artem, Voropaev, Kirill, Vasil’ev, Andrey, Karachinsky, Leonid, Novikov, Innokenty, Sobolev, Maxim |
| Publisher Information: |
St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics, 2024. |
| Publication Year: |
2024 |
| Subject Terms: |
infrared photodetectors, метаморфные буферные слои, molecular beam epitaxy, metamorphic buffer layers, инфракрасные фотодетекторы, молекулярно-пучковая эпитаксия |
| Description: |
In0.83Ga0.17As/InP PIN-фотодиодные гетероструктуры с различными концентрациями легирующей примеси в поглощающем слое были выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Метаморфные буферные слои использованы для уменьшения плотности дислокаций несоответствия в активной области гетероструктур. Были изучены вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики полученных кристаллов фотодиодов. На основе вольт-амперных характеристик, полученных при разных температурах, был исследован вклад различных механизмов образования темновых токов.
In0.83Ga0.17As/InP PIN-photodiode heterostructures with different doping levels have been grown by molecular beam epitaxy. Metamorphic buffer layers were applied to prevent misfit dislocations nucleation in active layers. Capacitance-voltage and current-voltage curves of fabricated photodiodes have been measured and analysed. The impact of various dark current mechanisms has been estimated after the measurements of current-voltage curves at different temperatures. |
| Document Type: |
Other literature type |
| Language: |
English |
| DOI: |
10.18721/jpm.173.236 |
| Accession Number: |
edsair.doi...........bfe76c90c630feed1d6557ef53b4835c |
| Database: |
OpenAIRE |