Conference
Study of planar microcavity structure with In0.63Ga0.37As quantum dots and non-absorbing Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As mirrors
| Τίτλος: | Study of planar microcavity structure with In0.63Ga0.37As quantum dots and non-absorbing Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As mirrors |
|---|---|
| Συγγραφείς: | Babichev, Andrey, Papylev, Denis, Komarov, Sergey, Kryzhanovskaya, Natalia, Blokhin, Sergei, Nevedomsky, Vladimir, Gladyshev, Andrey, Karachinsky, Leonid, Novikov, Innokenty, Egorov, Anton |
| Στοιχεία εκδότη: | St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics, 2024. |
| Έτος έκδοσης: | 2024 |
| Θεματικοί όροι: | арсенид галлия, InGaAs, planar microcavity, планарный вертикальный микрорезонатор, механизм Странски-Крастанова, Stransky-Krastanow growth mode, molecular-beam epitaxy, молекулярно-лучевая эпитаксия, gallium arsenide |
| Περιγραφή: | Планарная структура вертикального микрорезонатора с непоглощающими распределенными брэгговскими отражателями Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As была изготовлена методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Квантовые точки, сформированные по механизму Странски-Крастанова из слоя In0.63Ga0.37As демонстрируют фотолюминесценцию при комнатной температуре вблизи 1110 нм, с характерной полушириной пика около 80 мэВ. Величина спектрального рассогласования между положением пика фотолюминесценции активной области и провалом в спектре отражения составило около 115 мэВ при температуре 290 К. Сдвиг положения резонансной длины волны в спектре отражения при смещении от центра к краю пластины не превысил 15 мэВ. Оценочная величина шероховатости поверхности планарной структуры вертикального микрорезонатора толщиной 8 мкм не превысила 1.3 нм. The planar microcavity structure based on non-absorbing Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As mirrors was fully fabricated by molecular-beam epitaxy. Usage of In0.63Ga0.37As quantum dots reveals room temperature emission near 1110 nm with emission bandwidth of about 80 meV. The determined spectral mismatch between peak position of gain region and reflectivity spectrum dip was about 115 meV at 290 K. The shift of the reflectance dip position along the whole wafer surface was less than 15 meV. The determined by defect inspection root mean square surface roughness was less than 1.3 nm for studied 8 μm thick planar microcavity structure. |
| Τύπος εγγράφου: | Conference object |
| Γλώσσα: | English |
| DOI: | 10.18721/jpm.173.147 |
| Αριθμός Καταχώρησης: | edsair.doi...........b9550a5e52bcf65734d8b8704682d217 |
| Βάση Δεδομένων: | OpenAIRE |
| DOI: | 10.18721/jpm.173.147 |
|---|