Bibliographic Details
| Title: |
ВКЛАД СОБСТВЕННЫХ ДЕФЕКТОВ В ФОРМИРОВАНИЕ ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ОТКЛИКА СЛОИСТОГО СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАПОЛУПРОВОДНИКА TlGaSe2 |
| Authors: |
F. A. Mikailzade, M-H. Yu. Seyidov |
| Publisher Information: |
4-я международная конференция «Физика конденсированных состояний», 2025. |
| Publication Year: |
2025 |
| Subject Terms: |
ФОРМИРОВАНИЕ ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ОТКЛИКА, СЛОИСТЫЙ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК, СОБСТВЕННЫЕ ДЕФЕКТЫ, TlGaSe2 |
| Description: |
Слоистое полупроводниковое соединение TlGaSe2 является несобственным сегнетоэлектриком с температурой Кюри Тс = 107 К. Фазовому переходу (ФП) в сегнетоэлектрическую фазу предшествует ФП из параэлектрической (симметрия С2h6) в несоизмеримую фазу при Тinc = 120 K. Многочисленные эксперименты свидетельствуют, что физические свойства соединения TlGaSe2 контролируются в большой степени собственными дефектами кристаллической решетки. |
| Document Type: |
Research |
| DOI: |
10.24412/cl-37349-fks-4.140 |
| Rights: |
CC BY |
| Accession Number: |
edsair.doi...........b8435df48e8602d896f9bcdeb0c37d80 |
| Database: |
OpenAIRE |