Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
| Τίτλος: |
Особенности аномальной подвижности в полностью обедненных КНИ транзисторах: Features of anomalous mobility in the fully depleted SOI transistors |
| Πηγή: |
Труды НИИСИ РАН. 8:28-34 |
| Στοιχεία εκδότη: |
Federal Scientific Center Scientific Research Institute for Systems Research of the Russian Academy of Sciences, 2018. |
| Έτος έκδοσης: |
2018 |
| Θεματικοί όροι: |
поверхностный потенциал, подвижность, структура кремний на изоляторе, surface potential distribution, полностью обедненный полевой транзистор, fully depleted SOI CMOS transistor, silicon on isolator structure, mobility |
| Περιγραφή: |
Обсуждаются вопросы моделирования аномальной подвижности, которая наблюдается в полностью обедненном полевом транзисторе со структурой «кремний на изоляторе» с толстым слоем подзатворного окисла фронтального затвора. Найдено, что аномальное поведение связано с доминированием заряда в канале у обратной поверхности в общем заряде. Это поведение описывается моделью с двумя подвижностями, которые соответствуют фронтальному каналу и каналу вдоль обратной поверхности. Эти две подвижности физически связаны при помощи взвешенной функции следующей из приближения зарядового разделения, и она экстрагируется из экспериментальных данныхSsues of simulation of anomalous mobility which is observed in fully depleted field transistor with structure "silicon on the insulator" with a thick oxide layer of a front gate are discussed. It is found that the anomalous behavior is defined of domination of a charge in the channel at the back surface in the total charge. This behavior is described by model with two mobility which correspond to the front channel and the channel along the back surface. These two mobility are physically connected by means of the weighed function following from approach of charging division and is extracted from experimental data |
| Τύπος εγγράφου: |
Article |
| Γλώσσα: |
Russian |
| ISSN: |
2225-7349 |
| DOI: |
10.25682/niisi.2018.2.0004 |
| Αριθμός Καταχώρησης: |
edsair.doi...........b6eb886a0ed13037063ed10f4fbeaed6 |
| Βάση Δεδομένων: |
OpenAIRE |