Conference
Numerical simulation of the temperature field distribution in the epitaxial graphene growth setup
| Τίτλος: | Numerical simulation of the temperature field distribution in the epitaxial graphene growth setup |
|---|---|
| Συγγραφείς: | Lebedev, Sergey, Priobrazhenskii, Sergei, Plotnikov, Andrey, Mynbaeva, Marina, Lebedev, Alexander |
| Στοιχεία εκδότη: | St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics, 2023. |
| Έτος έκδοσης: | 2023 |
| Θεματικοί όροι: | сублимационный рост, silicon carbide, карбид кремния, graphene, sublimation growth, temperature field distribution, simulation, моделирование, графен, распределение температуры |
| Περιγραφή: | В данной работе представлен подход к оптимизации роста графена на подложках карбида кремния (SiC) с использованием методов численного моделирования. Представленные модели в осесимметричном приближении показывают хорошую сходимость с экспериментальными результатами и позволяют проводить исследование температурных полей внутри закрытых ячеек. Сделан вывод о перспективности применения численных методов расчета для оптимизации конструкции технологической установки роста графена методом сублимации поверхности SiC. An approach is presented to optimizing the growth of graphene on silicon carbide (SiC) substrates by using numerical simulation methods. The presented models in axisymmetric approximation show good convergence with experimental results and allow studyies temperature fields inside closed growth cells. It is concluded that the use of numerical calculation methods is promising for optimizing the design of a technological setup for graphene growth by sublimation of the SiC surface. |
| Τύπος εγγράφου: | Conference object |
| Γλώσσα: | English |
| DOI: | 10.18721/jpm.161.151 |
| Αριθμός Καταχώρησης: | edsair.doi...........ac98d7ae34c8ad9d3f1d62fa5903ef8c |
| Βάση Δεδομένων: | OpenAIRE |
| DOI: | 10.18721/jpm.161.151 |
|---|