Conference
Influence of disordering in InAsSbP barrier layers on the characteristics of InAsSb-based LEDs
| Τίτλος: | Influence of disordering in InAsSbP barrier layers on the characteristics of InAsSb-based LEDs |
|---|---|
| Συγγραφείς: | Kirilenko, Iaroslav, Ruzhevich, Maxim, Romanov, Viacheslav, Moiseev, Konstantin, Dorogov, Maksim, Tomkovich, Mariia, Firsov, Dmitrii, Chumanov, Ivan, Komkov, Oleg, Mynbaev, Karim |
| Στοιχεία εκδότη: | St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics, 2025. |
| Έτος έκδοσης: | 2025 |
| Θεματικοί όροι: | гетероструктуры, solid solutions, heterostructures, InAsSbP, chemical composition, photoluminescence, химический состав, фотолюминесценция, твердые растворы |
| Περιγραφή: | Energy-dispersive X-ray spectroscopy, optical reflectance and photoluminescence were used to study the properties of InAsSbP barrier layers in InAsSb/InAsSbP heterostructures (HSs) and their effect on the performance of HSs. A deviation of the chem-ical composition of the layers from the specified value and acceptor-like states in their bandgap were found. These features defined the nature of radiative transitions in the HSs. Методами энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии, оптического отражения и фотолюминесценции исследованы свойства барьерных слоев InAsSbP в гетероструктурах (ГС) InAsSb/InAsSbP и их влияние на характеристики ГС. Обнаружено отклонение химического состава слоев от заданного значения, а также наличие акцепторных состояний в их запрещенной зоне. Эти особенности определяют природу излучательных переходов в ГС. |
| Τύπος εγγράφου: | Conference object |
| Γλώσσα: | English |
| DOI: | 10.18721/jpm.181.118 |
| Αριθμός Καταχώρησης: | edsair.doi...........a7120fd7e20b5750c1c57d6e5201e216 |
| Βάση Δεδομένων: | OpenAIRE |
| DOI: | 10.18721/jpm.181.118 |
|---|