Bibliographic Details
| Title: |
Фотоэлектрические характеристики структур Si(p)/C60/Au во внешнем электрическом поле: выпускная квалификационная работа бакалавра |
| Publisher Information: |
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 2025. |
| Publication Year: |
2025 |
| Subject Terms: |
polycrystalline films, фотопроводимость, Onsager-Braun model, электроформовка, фуллерит, fullerite, модель Онзагера-Брауна, photoconductivity, electroforming, удельная фоточувствительность, specific photoresponsivity, поликристаллические пленки |
| Description: |
The work is devoted to the study of Si(p)/C60/Au structures and the analysis of photoelectric characteristics in a mixed spectral range. The aim is identification of the photoelectric characteristics of Si(p)/C60/Au structures under external electric field at various conditions. The following tasks were solved: 1. Study the scientific literature on the subject of the work. 2. Obtain I-V characteristics of Si(p)/C60/Au structures under illumination and in dark conditions. 3. Evaluate the photosensitivity and perform a comparative analysis. 4. Obtain the spectral dependence of photocurrent in the visible spectrum. 5. Approximate the results using a mathematical model. 6. Obtain the temperature dependence and calculate the temperature correction for the maximum charge carrier generation rate. As a result of the study, the behavior of photoelectric characteristics under strong external electric fields at various conditions was investigated. For the first time, the photocurrent density was approximated using a mathematical model, and a temperature correction factor was calculated for the post-electroforming region. The obtained results may find broad applications in the design of various classes of photodiodes.
Работа посвящена исследованию структур Si(p)/C60/Au и получению зависимостей фотоэлектрических характеристик в смешанном спектральном диапазоне. Цель работы – выявление особенностей фотоэлектрических характеристик структур Si(p)/C60/Au в сильном электрическом поле при различных условиях. Для достижения поставленной цели решены следующие задачи: 1. Изучить научную литературу по тематике работы. 2. Получить ВАХ структур при внешнем освещении и его отсутствии. 3. Оценить фоточувствительность, провести сравнительный анализ. 4. Получить спектральную зависимость фототока для видимого диапазона. 5. Произвести аппроксимацию результатов математической моделью. 6. Получить температурную зависимость и рассчитать температурную поправку в максимальную скорость генерации носителей заряда. В результате исследования было изучено поведение фотоэлектрических характеристик в сильном электрическом поле при различных условиях, а также впервые проведена аппроксимация плотности фототока математической моделью и рассчитана температурная поправка для области после электрического формования. Полученные результаты могут иметь широкое применение при проектировании фотодиодов различного класса. |
| Document Type: |
Other literature type |
| Language: |
Russian |
| DOI: |
10.18720/spbpu/3/2025/vr/vr25-4581 |
| Accession Number: |
edsair.doi...........a1d7caf7b66a6bb304b6eee6e6d99355 |
| Database: |
OpenAIRE |