Report
ПРОРЕЗАНИЕ КАНАВОК ИМПУЛЬСНЫМ И КВАЗИНЕПРЕРЫВНЫМ CO2-ЛАЗЕРАМИ ПЛЕНОК GAN ДЛЯ ОТВОДА ГАЗООБРАЗНОГО АЗОТА
| Τίτλος: | ПРОРЕЗАНИЕ КАНАВОК ИМПУЛЬСНЫМ И КВАЗИНЕПРЕРЫВНЫМ CO2-ЛАЗЕРАМИ ПЛЕНОК GAN ДЛЯ ОТВОДА ГАЗООБРАЗНОГО АЗОТА |
|---|---|
| Στοιχεία εκδότη: | Международный журнал гуманитарных и естественных наук, 2023. |
| Έτος έκδοσης: | 2023 |
| Θεματικοί όροι: | НИТРИД ГАЛЛИЯ, ОТДЕЛЕНИЕ ОБРАЗЦОВ, ПРОРЕЗАНИЕ КАНАВОК, ЛАЗЕРНАЯ РЕЗКА, ПЛЕНКИ, МЕТОДЫ РОСТА |
| Περιγραφή: | This paper discusses the use of modern materials such as sapphire, silicon, diamond, gallium nitride in the production of solid-state semiconductor devices, elements of optics, micro and optoelectronics. Special attention is paid to the process of cutting grooves for the removal of gases during the separation of the GaN film. In the course of the work, experiments were carried out on films grown by the HVPE and MOCVD method. Cutting is a key operation in the production of such devices. Research shows that the introduction of laser cutting into production processes can significantly increase productivity and increase the yield of suitable products based on semiconductor wafers. В данной работе рассматривается использование современных материалов, таких как сапфир, кремний, алмаз, нитрид галлия, в производстве твердотельных полупроводниковых приборов, элементов оптики, микро и оптоэлектроники. Особое внимание уделено процессу прорезания канавок для отведения газов при отделении пленки GaN. В ходе работы были проведены эксперименты над пленками, выращенными методом HVPE и MOCVD. Резка является ключевой операцией в производстве подобных приборов. Исследования показывают, что внедрение лазерной резки в производственные процессы может значительно повысить производительность и увеличить выход годной продукции на базе полупроводниковых пластин. |
| Τύπος εγγράφου: | Research |
| DOI: | 10.24412/2500-1000-2023-5-2-84-88 |
| Rights: | CC BY |
| Αριθμός Καταχώρησης: | edsair.doi...........949b0960a4ea94f8e3228701c75dc29d |
| Βάση Δεδομένων: | OpenAIRE |
| DOI: | 10.24412/2500-1000-2023-5-2-84-88 |
|---|