Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
| Τίτλος: |
Features of MBE growth of AlGaAs nanowires with InAs quantum dots on the silicon surface |
| Συγγραφείς: |
Reznik, Rodion, Gridchin, Vladislav, Kotlyar, Konstantin, Dragunova, Anna, Kryzhanovskaya, Natalia, Samsonenko, Yurii, Soshnikov, Ilya, Khrebtov, Artem, Cirlin, George |
| Στοιχεία εκδότη: |
St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics, 2023. |
| Έτος έκδοσης: |
2023 |
| Θεματικοί όροι: |
III-V semiconductors, nanowires, нитевидные нанокристаллы, silicon, quantum dots, molecular-beam epitaxy, квантовые точки, III-V полупроводники, молекулярно-пучковая эпитаксия, кремний |
| Περιγραφή: |
Методом молекулярно-пучковой эпитаксии были синтезированы AlGaAs нитевидные нанокристаллы с InAs квантовыми точками на поверхности кремния. Были исследованы морфологические и оптические свойства выращенных наноструктур. Важно отметить, что излучение из квантовых точек наблюдается в диапазоне длин волн от 780 до 970 нм. Сформулированы предположения о природе коротковолнового излучения квантовых точек. В частности, одной из причин может являться высокий уровень десорбции атомов индия и присутствие атомов галлия в каплях катализатора в процессе роста при температуре подложки 510°С. Таким образом, наша работа открывает новые перспективы для интеграции прямозонных полупроводников с кремниевой пластиной.
AlGaAs nanowires with InAs quantum dots on the silicon surface were synthesized by molecular-beam epitaxy. Morphological and optical properties of grown nanostructures were studied. It is important to note, that emission from quantum dots is observed in the wavelength range from 780 to 970 nm. Assumptions about the nature of short-wave radiation from quantum dots were formulated. In particular, one of the reasons may be the significant desorption of indium atoms and the presence of gallium atoms in the catalyst droplets during growth at the substrate temperature of 510°C. Our work, therefore, opens new prospects for integration of direct bandgap semiconductors with silicon platform. |
| Τύπος εγγράφου: |
Other literature type |
| Γλώσσα: |
English |
| DOI: |
10.18721/jpm.161.126 |
| Αριθμός Καταχώρησης: |
edsair.doi...........77135ef7482419f3dd5f7e54de21867f |
| Βάση Δεδομένων: |
OpenAIRE |