High-temperature high-voltage p–i–n diodes based on low doped heteroepitaxial layers AlGaAs and AlGaAsSb

Bibliographic Details
Title: High-temperature high-voltage p–i–n diodes based on low doped heteroepitaxial layers AlGaAs and AlGaAsSb
Authors: Soldatenkov, Fedor, Ivanov, Anton, Malevskiy, Dmitriy, Levin, Sergey
Publisher Information: St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics, 2024.
Publication Year: 2024
Subject Terms: reverse recovery of diodes, жидко-фазная эпитаксия, diode, high-voltage p0–i–n0 junction, диод, heterostructure, высоковольтный p0–i–n0-переход, 7. Clean energy, гетероструктура, lattice mismatch, AlGaAsSb, liquid-phase epitaxy, рассогласование по параметру решетки, обратное восстановление диодов
Description: The article investigates the temperature dependences of the current–voltage characteristics and reverse recovery of high-voltage AlxGa1-xAs and AlxGa1-xAs1-ySby p–i–n diodes manufactured by liquid-phase epitaxy when heated to 350 °C. It was found that with an increase in the Al content in the base layers, the operating temperatures of the diodes increase from 250 °C at x = 0 to 350 °C at x ~ 0.45, while the forward voltage drops of the diodes also increase. It is shown that the use of small Sb additions in AlGaAs layers reduces the reverse recovery times of diodes by almost an order of magnitude, from 40–80 ns to 5–8 ns.
В работе исследованы температурные зависимости вольт-амперных характеристик и обратного восстановления высоковольтных AlxGa1-xAs и AlxGa1-xAs1-ySby p–i–n диодов, изготовленных методом жидко-фазной эпитаксии, при нагреве до 350 °С. Выяснено, что c увеличением доли Al в базовых слоях рабочие температуры диодов повышаются от 250 °С при x = 0 до 350 °С при x ~0.45, при этом увеличиваются прямые падения напряжения диодов. Показано, что применение малых добавок Sb в слои AlGaAs позволяет уменьшить времена обратного восстановления диодов почти на порядок, с 40–80 нс до 5–8 нс.
Document Type: Other literature type
Language: English
DOI: 10.18721/jpm.171.125
Accession Number: edsair.doi...........18170f93165abb7ab614c879c975f6c3
Database: OpenAIRE
Description
DOI:10.18721/jpm.171.125