Academic Journal

Substrate-engineered high-Q quasi-BICs in asymmetric transition metal dichalcogenide metasurfaces

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Τίτλος: Substrate-engineered high-Q quasi-BICs in asymmetric transition metal dichalcogenide metasurfaces
Συγγραφείς: Danaeifar, MohammadAff1, IDs1108202608853w_cor1
Πηγή: Optical and Quantum Electronics. 58(7)
Βάση Δεδομένων: Springer Nature Journals