Report
THE PHOTOLUMINESCENCE SPECTRA OF N+, ZN+ IMPLANTED GAAS1-XPX AT 1.8-4.2K
| Τίτλος: | THE PHOTOLUMINESCENCE SPECTRA OF N+, ZN+ IMPLANTED GAAS1-XPX AT 1.8-4.2K |
|---|---|
| Συγγραφείς: | XU JY, CHEN LH, GONG JS, XU ZY, LI YZ, ZHUANG WH, XU JZ, WU LX, XU JY CHINESE ACAD SCIINST SEMICONDBEIJINGPEOPLES R CHINA |
| Έτος έκδοσης: | 1984 |
| Συλλογή: | Institute of Semiconductors: SEMI OpenIR (Chinese Academy of Sciences) / 中国科学院半导体研究所机构知识库 |
| Θεματικοί όροι: | 光电子学 |
| Τύπος εγγράφου: | report |
| Γλώσσα: | English |
| Relation: | JOURNAL OF LUMINESCENCE; XU JY; CHEN LH; GONG JS; XU ZY; LI YZ; ZHUANG WH; XU JZ; WU LX.THE PHOTOLUMINESCENCE SPECTRA OF N+, ZN+ IMPLANTED GAAS1-XPX AT 1.8-4.2K,JOURNAL OF LUMINESCENCE ,1984,31-32(0):454-456; http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/14755 |
| Διαθεσιμότητα: | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/14755 |
| Αριθμός Καταχώρησης: | edsbas.BCD0A9A0 |
| Βάση Δεδομένων: | BASE |
καταχωρήστε σχόλιο πρώτοι!