Academic Journal

Терагерцовые автоколебания в инжекционном p–n–переходе с постоянным обратным смещением

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Τίτλος: Терагерцовые автоколебания в инжекционном p–n–переходе с постоянным обратным смещением
Πηγή: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Radioelektronika; Том 53, № 8 (2010); 16-22
Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника; Том 53, № 8 (2010); 16-22
Στοιχεία εκδότη: Киевский политехнический институт им. Игоря Сикорского, 2010.
Έτος έκδοσης: 2010
Θεματικοί όροι: резкий p–n-переход, режим автоколебаний, ударная ионизация, терагерцовые автоколебания, частота, Фурье спектр
Περιγραφή: Приведены результаты численного решения полных уравнений диффузионно-дрейфовой модели (ДДМ) Ge, Si и GaAs обратносмещенных резких p–n–переходов c инжекцией в p–область потока электронов постоянной интенсивности. Рассмотрен механизм возбуждения p–n–переходов и установлены факторы, влияющие на частоту и амплитуду автоколебаний. Приведены спектры мощности и электронного КПД. Показано, что резкие Ge, Si и GaAs p–n–переходы генерируют во всем СВЧ диапазоне, а частота второй гармоники достигает терагерцовый (ТГц) диапазон.
Τύπος εγγράφου: Article
Γλώσσα: Russian
ISSN: 0021-3470
2307-6011
Σύνδεσμος πρόσβασης: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347010080029
Rights: URL: http://radio.kpi.ua/about/subscriptionsLicence
Αριθμός Καταχώρησης: edsair.scientific.p..c814ad8f5ffdba6df2f0a6e244f137ab
Βάση Δεδομένων: OpenAIRE