Academic Journal
Elastic moduli, raman spectra and thermal conductivity of chalcogenide Ge-As-S glass system
| Τίτλος: | Elastic moduli, raman spectra and thermal conductivity of chalcogenide Ge-As-S glass system |
|---|---|
| Πηγή: | Scientific Herald of Uzhhorod University.Series Physics; Том 37 (2015); 98-103 Научный вестник Ужгородского университета. Серия Физика; Том 37 (2015); 98-103 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика; Том 37 (2015); 98-103 |
| Στοιχεία εκδότη: | Ужгородський національний університет = Uzhhorod National University, 2015. |
| Έτος έκδοσης: | 2015 |
| Θεματικοί όροι: | Chalcogenide glass, Raman spectroscopy, nanophase inclusions, the mean coordination number, realgar, thermal conductivity of glass, longitudinal elastic moduli, Халькогенидные стекла, Раман спектроскопия, нанофазные включения, среднее координационное число, реальгар, теплопроводность стекол, продольные упругие модули, 539.213, 535.21, Халькогенідні стекла, Раманівська спектроскопія, нанофазні включення, середнє координаційне число, теплопровідність стекол, повздовжні пружні модулі |
| Περιγραφή: | Different way of changing composition along As2S3-GeS2, As2S3-Ge2S3 lines the mean coordination does not determine the same elastic properties and the same short range order structure. At deviation in composition in ternary glasses from composition of pseudo-binary As2S3-GeS2 line and increase Ge/S ratio from 0.50 (GeS2) to 0.66 (Ge2S3) in terminal terms of As2S3-GeS2, As2S3-Ge2S3 lines, respectively, the realgar, pararealgar (As4S4) and dimorphite (As4S3) phase separation in the structural matrix of ternary As2S3-Ge2S3 glasses in intermediate composition region is increases with increasing Ge/S ratio. The decrease in thermal conductivity is observed for both lines in the region of intermediate composition with nanophase inclusions. При разном образе изменения состава вдоль разрезов As2S3-GeS2, As2S3-Ge2S3 средняя координация не определяет одни и те же упругие свойства и такую же структуру ближнего порядка. При отклонении состава тройных стекол от состава стекол псевдо-бинарного разреза As2S3-GeS2 и увеличении отношения Ge/S от 0.50 (GeS2) до 0.66 (Ge2S3) в крайних членах разрезов As2S3-GeS2, As2S3-Ge2S3, соответственно, в матрице структуры тройных стекол As2S3-Ge2S3, с ростом отношения Ge/S в области промежуточных составов нарастают выделения нанофаз реальгара, парареальгара (As4S4) и диморфита (As4S3). Для обоих разрезов в области промежуточных составов с нанофазными выделениями наблюдается уменьшение теплопроводности. При різному способі зміни складу вздовж розрізів As2S3-GeS2, As2S3-Ge2S3 середня координація не визначає одні і ті ж самі пружні властивості і таку ж структуру ближнього порядку. При відхиленні складу потрійних стекол від складу стекол псевдобінарного розрізу As2S3-GeS2 і збільшенні відношення Ge/S від 0.50 (GeS2) до 0.66 (Ge2S3) в крайніх членах розрізів As2S3-GeS2, As2S3-Ge2S3, відповідно, в матриці структури потрійних стекол As2S3-Ge2S3, з ростом відношення Ge/S в області проміжних складів наростає виділення нанофаз реальгару, парареальгару (As4S4) та диморфіту (As4S3). Для обох розрізів в області проміжних складів з нанофазними виділеннями спостерігається зменшення теплопровідності. |
| Τύπος εγγράφου: | Article |
| Περιγραφή αρχείου: | application/pdf |
| Γλώσσα: | Ukrainian |
| ISSN: | 2415-8038 |
| Σύνδεσμος πρόσβασης: | http://fizyka-visnyk.uzhnu.edu.ua/article/view/99926 |
| Rights: | CC BY NC ND |
| Αριθμός Καταχώρησης: | edsair.scientific.p..6af8ef8fec913f215b9c31c7b6b7606c |
| Βάση Δεδομένων: | OpenAIRE |
| ISSN: | 24158038 |
|---|