Academic Journal
Композиционный состав и дефектообразование в кремнии с имплантированным маркером Хе при нанесении титана в условиях ионного ассистирования
| Τίτλος: | Композиционный состав и дефектообразование в кремнии с имплантированным маркером Хе при нанесении титана в условиях ионного ассистирования |
|---|---|
| Στοιχεία εκδότη: | БГТУ, 2020. |
| Έτος έκδοσης: | 2020 |
| Θεματικοί όροι: | дефектообразование, имплантированные маркеры Хе, микроэлектроника, каналирование, Хе-маркеры, компьютерное моделирование, ионно-ассистированные нанесения покрытий, резерфордовское обратное рассеяние, кремний |
| Περιγραφή: | При изучении взаимопроникновения элементов подложки и тонкой пленки, получаемой методами ионно-ассистируемого нанесения покрытий, необходимо устанавливать границу раздела фаз в структуре пленка − подложка. С этой целью выполнены эксперименты с маркерными слоями ксенона, который имплантировался в кремниевые образцы с энергией 10 и 40 кэВ и дозами от 1 ⋅ 10{14} до 27 ⋅ 10{14} см{−2}. Образцы кремния с имплантированным маркером ксенона модифицировали осаждением титана в условиях ионного Ti{+} ассистирования при ускоряющем напряжении 7 кВ. Подготовленные и модифицированные таким образом образцы исследовались методом резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием (РОР/К) ионов гелия с энергией 2 МэВ, а также применялось компьютерное моделирование с помощью программы RUMP. Анализ спектров РОР и компьютерное моделирование позволили обнаружить встречные потоки элементов матрицы в покрытии. Наряду с сопутствующими примесями водорода, углерода и кислорода в состав пленки на основе металла входит 10−15 ат. % кремния. |
| Τύπος εγγράφου: | Article |
| Περιγραφή αρχείου: | application/pdf |
| Γλώσσα: | Russian |
| Σύνδεσμος πρόσβασης: | https://elib.belstu.by/handle/123456789/36296 |
| Αριθμός Καταχώρησης: | edsair.od......3992..7c2739c7b650e79fda0c062ac36c0390 |
| Βάση Δεδομένων: | OpenAIRE |
| FullText | Text: Availability: 0 |
|---|---|
| Header | DbId: edsair DbLabel: OpenAIRE An: edsair.od......3992..7c2739c7b650e79fda0c062ac36c0390 RelevancyScore: 837 AccessLevel: 3 PubType: Academic Journal PubTypeId: academicJournal PreciseRelevancyScore: 837.258850097656 |
| IllustrationInfo | |
| Items | – Name: Title Label: Title Group: Ti Data: Композиционный состав и дефектообразование в кремнии с имплантированным маркером Хе при нанесении титана в условиях ионного ассистирования – Name: Publisher Label: Publisher Information Group: PubInfo Data: БГТУ, 2020. – Name: DatePubCY Label: Publication Year Group: Date Data: 2020 – Name: Subject Label: Subject Terms Group: Su Data: <searchLink fieldCode="DE" term="%22дефектообразование%22">дефектообразование</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22имплантированные+маркеры+Хе%22">имплантированные маркеры Хе</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22микроэлектроника%22">микроэлектроника</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22каналирование%22">каналирование</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22Хе-маркеры%22">Хе-маркеры</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22компьютерное+моделирование%22">компьютерное моделирование</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22ионно-ассистированные+нанесения+покрытий%22">ионно-ассистированные нанесения покрытий</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22резерфордовское+обратное+рассеяние%22">резерфордовское обратное рассеяние</searchLink><br /><searchLink fieldCode="DE" term="%22кремний%22">кремний</searchLink> – Name: Abstract Label: Description Group: Ab Data: При изучении взаимопроникновения элементов подложки и тонкой пленки, получаемой методами ионно-ассистируемого нанесения покрытий, необходимо устанавливать границу раздела фаз в структуре пленка − подложка. С этой целью выполнены эксперименты с маркерными слоями ксенона, который имплантировался в кремниевые образцы с энергией 10 и 40 кэВ и дозами от 1 ⋅ 10{14} до 27 ⋅ 10{14} см{−2}. Образцы кремния с имплантированным маркером ксенона модифицировали осаждением титана в условиях ионного Ti{+} ассистирования при ускоряющем напряжении 7 кВ. Подготовленные и модифицированные таким образом образцы исследовались методом резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием (РОР/К) ионов гелия с энергией 2 МэВ, а также применялось компьютерное моделирование с помощью программы RUMP. Анализ спектров РОР и компьютерное моделирование позволили обнаружить встречные потоки элементов матрицы в покрытии. Наряду с сопутствующими примесями водорода, углерода и кислорода в состав пленки на основе металла входит 10−15 ат. % кремния. – Name: TypeDocument Label: Document Type Group: TypDoc Data: Article – Name: Format Label: File Description Group: SrcInfo Data: application/pdf – Name: Language Label: Language Group: Lang Data: Russian – Name: URL Label: Access URL Group: URL Data: <link linkTarget="URL" linkTerm="https://elib.belstu.by/handle/123456789/36296" linkWindow="_blank">https://elib.belstu.by/handle/123456789/36296</link> – Name: AN Label: Accession Number Group: ID Data: edsair.od......3992..7c2739c7b650e79fda0c062ac36c0390 |
| PLink | https://search.ebscohost.com/login.aspx?direct=true&site=eds-live&db=edsair&AN=edsair.od......3992..7c2739c7b650e79fda0c062ac36c0390 |
| RecordInfo | BibRecord: BibEntity: Languages: – Text: Russian Subjects: – SubjectFull: дефектообразование Type: general – SubjectFull: имплантированные маркеры Хе Type: general – SubjectFull: микроэлектроника Type: general – SubjectFull: каналирование Type: general – SubjectFull: Хе-маркеры Type: general – SubjectFull: компьютерное моделирование Type: general – SubjectFull: ионно-ассистированные нанесения покрытий Type: general – SubjectFull: резерфордовское обратное рассеяние Type: general – SubjectFull: кремний Type: general Titles: – TitleFull: Композиционный состав и дефектообразование в кремнии с имплантированным маркером Хе при нанесении титана в условиях ионного ассистирования Type: main BibRelationships: IsPartOfRelationships: – BibEntity: Dates: – D: 06 M: 11 Type: published Y: 2020 Identifiers: – Type: issn-locals Value: edsair |
| ResultId | 1 |