Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
| Τίτλος: |
Композиционный состав и дефектообразование в кремнии с имплантированным маркером Хе при нанесении титана в условиях ионного ассистирования |
| Στοιχεία εκδότη: |
БГТУ, 2020. |
| Έτος έκδοσης: |
2020 |
| Θεματικοί όροι: |
дефектообразование, имплантированные маркеры Хе, микроэлектроника, каналирование, Хе-маркеры, компьютерное моделирование, ионно-ассистированные нанесения покрытий, резерфордовское обратное рассеяние, кремний |
| Περιγραφή: |
При изучении взаимопроникновения элементов подложки и тонкой пленки, получаемой методами ионно-ассистируемого нанесения покрытий, необходимо устанавливать границу раздела фаз в структуре пленка − подложка. С этой целью выполнены эксперименты с маркерными слоями ксенона, который имплантировался в кремниевые образцы с энергией 10 и 40 кэВ и дозами от 1 ⋅ 10{14} до 27 ⋅ 10{14} см{−2}. Образцы кремния с имплантированным маркером ксенона модифицировали осаждением титана в условиях ионного Ti{+} ассистирования при ускоряющем напряжении 7 кВ. Подготовленные и модифицированные таким образом образцы исследовались методом резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием (РОР/К) ионов гелия с энергией 2 МэВ, а также применялось компьютерное моделирование с помощью программы RUMP. Анализ спектров РОР и компьютерное моделирование позволили обнаружить встречные потоки элементов матрицы в покрытии. Наряду с сопутствующими примесями водорода, углерода и кислорода в состав пленки на основе металла входит 10−15 ат. % кремния. |
| Τύπος εγγράφου: |
Article |
| Περιγραφή αρχείου: |
application/pdf |
| Γλώσσα: |
Russian |
| Σύνδεσμος πρόσβασης: |
https://elib.belstu.by/handle/123456789/36296 |
| Αριθμός Καταχώρησης: |
edsair.od......3992..7c2739c7b650e79fda0c062ac36c0390 |
| Βάση Δεδομένων: |
OpenAIRE |