Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
| Τίτλος: |
Дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов алюминия и фосфора |
| Στοιχεία εκδότη: |
2023. |
| Έτος έκδοσης: |
2023 |
| Θεματικοί όροι: |
арсенид галлия, ионы гелия, дефектообразование, ионы алюминия, имплантация ионов, ионы фосфора, резерфордовское обратное рассеяние |
| Περιγραφή: |
В настоящей работе методом резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия в сочетании с каналированием (РОРКИ) исследовано дефектообразование в кристаллах (111) GaAs, имплантированных ионами алюминия энергией 60 кэВ и дозами 4,0·10{13} Al{+}/см{2} – 8,1·10{15} Al{+}/см{2} при комнатной температуре и фосфора с энергией 60 кэВ до дозы 4,0·10{14} Р{+}/см{2} после термического отжига в интервале температур 150−450 °С. |
| Τύπος εγγράφου: |
Article |
| Περιγραφή αρχείου: |
application/pdf |
| Γλώσσα: |
Russian |
| Σύνδεσμος πρόσβασης: |
https://elib.belstu.by/handle/123456789/57020 |
| Αριθμός Καταχώρησης: |
edsair.od......3992..5d94d0e52e90ac822f07bab4c9fd744f |
| Βάση Δεδομένων: |
OpenAIRE |