Academic Journal
Дисперсии носителей заряда в примесно-дефектных полупроводниках при совместном действии засветки и электрического поля
| Title: | Дисперсии носителей заряда в примесно-дефектных полупроводниках при совместном действии засветки и электрического поля |
|---|---|
| Source: | Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. |
| Publisher Information: | Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2011. |
| Publication Year: | 2011 |
| Subject Terms: | СЕЛЕНИД КАДМИЯ, ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ ДИАГРАММА, МИНИМУМ ШУМА, СОСТОЯНИЯ ИЗ ХВОСТОВ ЗОН, ГЕНЕРАЦИОННО-РЕКОМБИНАЦИОННЫЕ СОСТОЯНИЯ, ДИСПЕРСИИ ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК |
| Description: | Построена энергетическая диаграмма фоторезистора из n-CdSe, учитывающая наличие примесно-дефектных состояний в запрещенной зоне полупроводника. Получены аналитические выражения для дисперсий носителей заряда при наличии их прилипания на состояния в хвостах зон, показавшие экспоненциальный рост дисперсий электронов и дырок при приближении квазиуровней Ферми к краям разрешенных зон с ростом напряжения смещения и мощности фоновой засветки. Дисперсия носителей заряда за счет их генерации-рекомбинации центрами Шокли-Рида-Холла имеет максимум вблизи середины запрещенной зоны. Предполагается, что наличие минимума шумового напряжения фоторезистора из n-CdSe может быть обусловлено фотоиндуцированными изменениями параметров перечисленных электронных состояний при захвате неравновесных носителей заряда. We constructed the energetic diagram of n-CdSe photo-conductor, which takes into account extrinsic-defective states in the energy gap of a semiconductor. Thus there are received analytic expressions for charge carrier dispersion. They stick to band-edge tailing, which show exponential grow of dispersion of electrons and gaps when quasi-Fermi levels approach the energy gaps together with the growth of bias potential and backlight capacity. Dispersion of charge carriers has its maximum close to the center of an energy gap. The minimum level of nose voltage in n-CdSe photo-conductor is defined by photo-induced changes in the parameters of the mentioned electron states when capturing the nonequilibrium carrier. |
| Document Type: | Article |
| File Description: | text/html |
| Language: | Russian |
| ISSN: | 1818-0442 |
| Access URL: | http://cyberleninka.ru/article_covers/13932061.png http://cyberleninka.ru/article/n/dispersii-nositeley-zaryada-v-primesno-defektnyh-poluprovodnikah-pri-sovmestnom-deystvii-zasvetki-i-elektricheskogo-polya |
| Accession Number: | edsair.od......2806..a7bd1867a7f70c824ff58bc7b59fc524 |
| Database: | OpenAIRE |
Be the first to leave a comment!